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高效率GaN HEMT F类/逆F类功率放大器研究和设计

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第1章 绪论第8-14页
    1.1 研究背景及意义第8-10页
    1.2 国内外研究动态第10-12页
    1.3 本论文的主要内容及创新点第12-14页
第2章 功率放大器设计基础第14-34页
    2.1 功率放大器主要性能指标第14页
    2.2 工作频率第14页
    2.3 输出功率第14-16页
        2.3.1 增益第14页
        2.3.2 效率第14-15页
        2.3.3 线性度第15-16页
    2.4 功率放大器设计一般化流程第16-19页
    2.5 功率放大器技术发展路线第19-23页
    2.6 负载调谐功率放大器第23-32页
    2.7 本章小结第32-34页
第3章 高效率功放设计理论第34-68页
    3.1 功放中的功率平衡问题第34-38页
    3.2 理想方法第38-40页
    3.3 高频谐波调谐方法第40-59页
        3.3.1 三次谐波调谐(F类)理论分析第46-50页
        3.3.2 二次谐波调谐理论分析第50-56页
        3.3.3 二次谐波和三次谐波调谐理论分析第56-59页
    3.4 调谐谐波类电流波形分析第59-67页
        3.4.1 切去底端的正弦电流波形第60-62页
        3.4.2 二次方程电流波形第62-64页
        3.4.3 矩形电流波形第64-67页
    3.5 本章小结第67-68页
第4章 F类和逆F类功率放大器设计第68-92页
    4.1 F类输出匹配网络典型结构第68-72页
    4.2 L型寄生补偿输出匹配网络设计第72-77页
    4.3 直流偏置网络设计第77-79页
    4.4 基波匹配网络设计第79-82页
    4.5 F类和逆F类功放大信号特性仿真结果第82-86页
    4.6 F类和逆F类功放测试结果第86-90页
    4.7 本章小结第90-92页
第5章 总结和展望第92-94页
参考文献第94-100页
发表论文和参加科研情况说明第100-101页
致谢第101-102页

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