642nm红光激光器有源区量子阱混杂的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 半导体激光器简介 | 第8-10页 |
| 1.2 红光激光器的研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3 本论文的研究意义 | 第12-14页 |
| 1.4 量子阱混杂技术简介 | 第14-15页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第15-16页 |
| 1.6 本章小结 | 第16-18页 |
| 2 实验内容与测试方法 | 第18-28页 |
| 2.1 离子注入实验 | 第18-19页 |
| 2.2 快速热退火实验 | 第19-20页 |
| 2.3 磁控溅射制备ZnO薄膜 | 第20-23页 |
| 2.4 高温扩散实验 | 第23-24页 |
| 2.5 本论文中的材料测试方法简介 | 第24-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-28页 |
| 3 离子注入法诱导量子阱混杂的研究 | 第28-42页 |
| 3.1 芯片结构与测试分析 | 第28-31页 |
| 3.1.1 芯片结构 | 第28-29页 |
| 3.1.2 芯片测试分析 | 第29-31页 |
| 3.2 实验参数 | 第31-32页 |
| 3.2.1 离子注入参数 | 第31页 |
| 3.2.2 快速热处理参数 | 第31-32页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第32-40页 |
| 3.3.1 表面形貌分析 | 第32-35页 |
| 3.3.2 XRD结果分析 | 第35-36页 |
| 3.3.3 PL谱测试分析 | 第36-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 4 杂质扩散法诱导量子阱混杂的研究 | 第42-52页 |
| 4.1 芯片结构与测试 | 第42-43页 |
| 4.2 实验方案 | 第43-46页 |
| 4.2.1 磁控溅射参数 | 第43-45页 |
| 4.2.2 高温扩散参数 | 第45页 |
| 4.2.3 实验过程 | 第45-46页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第46-51页 |
| 4.3.1 不同衬底温度对ZnO薄膜的影响 | 第46-47页 |
| 4.3.2 不同衬底偏角对ZnO薄膜的影响 | 第47-49页 |
| 4.3.3 表面形貌分析 | 第49-50页 |
| 4.3.4 PL谱测试分析 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 5 总结 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
