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真空定向凝固提纯硅中杂质铝钙分布模型研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-11页
第一章 绪论第11-29页
   ·立题背景第11-12页
   ·光伏产业及多晶硅产业现状第12-15页
     ·光伏产业现状第12-14页
     ·多晶硅产业现状第14-15页
   ·太阳能级多晶硅的生产工艺第15-27页
     ·化学法提纯硅第17-18页
     ·冶金法提纯硅第18-27页
   ·本论文研究内容及意义第27-29页
第二章 真空定向凝固精炼硅原理第29-43页
   ·真空挥发原理第29-36页
     ·真空状态及其度量第29-30页
     ·真空挥发热力学原理第30-33页
     ·真空挥发动力学原理第33-36页
   ·定向凝固原理第36-43页
     ·定向凝固分凝去除原理第36-39页
     ·杂质凝固分凝固分布计算第39-40页
     ·杂质定向凝固的去除率计算第40-43页
第三章 真空定向凝固精炼硅中杂质的分布模型第43-53页
   ·杂质的传质过程第43-44页
   ·杂质在固相中的分布第44-45页
   ·杂质在气相中的分布第45-49页
   ·杂质液相中的分布第49-50页
   ·硅锭中杂质浓度分布的数学模型第50-53页
第四章 真空定向凝固精炼硅的实验研究第53-63页
   ·实验第53-55页
     ·实验原料第53页
     ·实验装置第53-54页
     ·实验步骤第54-55页
     ·实验样品检测第55页
   ·真空定向凝固法精炼硅中杂质铝钙分布研究第55-58页
     ·硅中铝的分布情况第55-57页
     ·硅中钙的分布情况第57-58页
   ·真空定向凝固法精炼硅影响杂质分布的各因素研究第58-63页
     ·温度影响第58-59页
     ·凝固速率影响第59-61页
     ·边界层厚度影响第61-63页
第五章 结论与展望第63-65页
   ·结论第63-64页
   ·展望第64-65页
致谢第65-67页
参考文献第67-73页
附录第73-75页

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