熔盐电解制备高纯硅及硅合金
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstarct | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·太阳能级多晶硅的发展现状 | 第10-11页 |
| ·生产制备太阳能级多晶硅工艺介绍 | 第11-15页 |
| ·改良西门子法 | 第12-13页 |
| ·硅烷法 | 第13页 |
| ·流化床法 | 第13-14页 |
| ·冶金法 | 第14-15页 |
| ·熔盐电解法制备多晶硅研究进展 | 第15-22页 |
| ·传统熔盐电解提取及电解精炼制备多晶硅 | 第16-18页 |
| ·FFC法制备多晶硅 | 第18-22页 |
| ·硅镍合金 | 第22-24页 |
| ·硅镍合金的应用 | 第22-23页 |
| ·硅镍合金的制备方法 | 第23-24页 |
| ·本文研究的内容和意义 | 第24-26页 |
| ·FFC法制备多晶硅研究内容 | 第24页 |
| ·FFC法制备硅镍合金研究内容 | 第24页 |
| ·研究的意义 | 第24-26页 |
| 第二章 实验原理、原料和设备 | 第26-36页 |
| ·实验原理 | 第26-34页 |
| ·熔盐体系的选择 | 第26页 |
| ·FFC法制备硅的热力学计算 | 第26-29页 |
| ·FFC法制备硅镍合金的热力学计算 | 第29-30页 |
| ·氯化物电解质中元素的电极电位计算 | 第30-34页 |
| ·实验所用的原料 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 直接电解还原SiO_2制备高纯硅 | 第36-44页 |
| ·实验装置及实验 | 第36-37页 |
| ·阴极和阳极的制备 | 第36-37页 |
| ·实验过程 | 第37页 |
| ·直接电解还原SiO_2工艺研究 | 第37-41页 |
| ·电解电压对电解还原SiO_2的影响 | 第37-39页 |
| ·电解时间对电解还原SiO_2的影响 | 第39-40页 |
| ·电解温度对对电解还原SiO_2的影响 | 第40-41页 |
| ·直接电解还原制备硅过程中阴极反应过程 | 第41页 |
| ·以纳米SiO_2为原料制备硅纳米线 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 电脱氧制备硅过程中的杂质研究 | 第44-58页 |
| ·预电解的工艺研究 | 第44-47页 |
| ·预电解电压对杂质去除效果的影响 | 第45-46页 |
| ·预电解温度对杂质去除效果的影响 | 第46-47页 |
| ·预电解时间对杂质去除效果的影响 | 第47页 |
| ·电解还原前后阴极中杂质元素的含量变化 | 第47-53页 |
| ·杂质元素B在电解还原过程中的浓度变化 | 第49页 |
| ·杂质元素P在电解还原过程中的浓度变化 | 第49-50页 |
| ·杂质元素Fe在电解还原过程中的浓度变化 | 第50-51页 |
| ·杂质元素Al在电解还原过程中的浓度变化 | 第51-52页 |
| ·杂质元素Ca在电解还原过程中的浓度变化 | 第52-53页 |
| ·预电解对电解产物硅纯度的影响 | 第53-54页 |
| ·实验 | 第53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-54页 |
| ·电解产物硅的酸浸处理 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-58页 |
| 第五章 FFC法制备硅镍合金研究 | 第58-66页 |
| ·实验 | 第58-60页 |
| ·阴极的制备 | 第58-60页 |
| ·实验过程 | 第60页 |
| ·电解NiO-SiO_2混合物制备Ni_3Si | 第60-62页 |
| ·电解NiO-SiO_2混合物制备NiSi_2 | 第62-64页 |
| ·FFC法制备硅镍合金的阴极反应机理研究 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 附录：攻读硕士期间的学术成果 | 第74-76页 |
