DSP辐射效应分析及测试方法研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-17页 |
·课题研究背景与意义 | 第7页 |
·空间辐射环境 | 第7-9页 |
·空间辐射效应 | 第9-13页 |
·单粒子效应 | 第9-11页 |
·总剂量效应 | 第11-12页 |
·辐射效应检测与评估方法 | 第12-13页 |
·辐射效应的国内外研究现状 | 第13-16页 |
·单粒子效应的研究现状 | 第13-15页 |
·总剂量效应研究现状 | 第15-16页 |
·论文主要工作与组织安排 | 第16-17页 |
第二章 DSP 的单粒子效应及检测方法 | 第17-31页 |
·TMS320C6701 的结构与原理 | 第17-21页 |
·DSP CPU 单元 | 第17-20页 |
·DSP 片上存储器 | 第20页 |
·DSP 外设单元 | 第20-21页 |
·DSP 的单粒子效应 | 第21-27页 |
·DSP 中的单粒子翻转 | 第21-24页 |
·DSP 中的单粒子闩锁效应 | 第24-26页 |
·DSP 的单粒子瞬态 | 第26-27页 |
·DSP 的单粒子功能中断 | 第27页 |
·DSP 单粒子实验检测方法 | 第27-29页 |
·基于功能程序的单粒子测试 | 第27-28页 |
·基于 DFT 电路的单粒子测试 | 第28-29页 |
·SEL 的检测 | 第29页 |
·本章小结 | 第29-31页 |
第三章 DSP 的总剂量效应分析 | 第31-45页 |
·MOS 器件的总剂量效应 | 第31-33页 |
·感生电荷的产生与阈值漂移 | 第31-32页 |
·MOS 器件的总剂量偏置 | 第32-33页 |
·CMOS 电路的总剂量效应分析 | 第33-38页 |
·DSP 的总剂量效应及偏置条件分析 | 第38-43页 |
·DSP 的最劣偏置条件 | 第38-40页 |
·DSP 静态偏置下的状态配置 | 第40-43页 |
·本章小结 | 第43-45页 |
第四章 DSP 总剂量实验方案与偏置电路设计 | 第45-55页 |
·DSP 的偏置电路硬件设计 | 第45-49页 |
·DSP 的偏置方案及软件设计 | 第49-53页 |
·偏置方案设计 | 第49-50页 |
·偏置的软件实现流程与设计 | 第50-53页 |
·本章小结 | 第53-55页 |
第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
致谢 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-62页 |