多晶硅反相器交流工作条件下的可靠性研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
第一章 绪论	第8-29页
·薄膜晶体管简介	第8-10页
·课题研究背景	第10-19页
·多晶硅 TFT 器件开态电流模型研究现状	第10-13页
·多晶硅电路可靠性研究现状	第13-19页
·实验样品的制备及测试系统简介	第19-22页
·样品制备	第19-20页
·实验平台简介	第20-22页
·本文主要工作及论文的结构安排	第22-24页
参考文献	第24-29页
第二章 反相器电压传输特性的计算	第29-42页
·kink 电流模型研究背景	第29-31页
·包含 kink 电流的 TFT 电流模型	第31-37页
·完整的电流模型	第31-32页
·kink 电流模型参数提取	第32-35页
·n-TFT 输出特性拟合	第35-37页
·反相器电压传输特性拟合	第37-39页
·本章小结	第39-40页
参考文献	第40-42页
第三章 多晶硅反相器交流工作条件下的可靠性	第42-53页
·实验条件	第42-43页
·反相器退化规律的研究	第43-48页
·反相器传输特性的退化	第43-45页
·反相器退化机制的研究	第45-48页
·反相器传输特性退化的预测	第48-51页
·本章小结	第51-52页
参考文献	第52-53页
第四章 结论及未来工作	第53-55页
攻读硕士学位期间发表的论文	第55-56页
致谢	第56-57页