| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·eFuse 概述 | 第9页 |
| ·课题的研究背景和意义 | 第9-10页 |
| ·国内外发展状况 | 第10-11页 |
| ·课题的主要工作和章节安排 | 第11-13页 |
| 第二章 eFuse 结构原理 | 第13-20页 |
| ·多晶硅熔丝基本结构 | 第13-14页 |
| ·多晶硅熔丝的电阻 | 第14-16页 |
| ·E-fuse 单元电路 | 第16-18页 |
| ·E-fuse 电路性能参数 | 第18-19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| 第三章 基于 55nm 工艺的 4K E-Fuse 电路设计 | 第20-41页 |
| ·整体架构模块 | 第20-23页 |
| ·外部端口介绍 | 第20-21页 |
| ·放大器结构模块 | 第21-22页 |
| ·存储空间分配和控制信号时序 | 第22-23页 |
| ·电路工作环境 | 第23页 |
| ·E-fuse 单元设计 | 第23-33页 |
| ·传统 E-fuse 单元电路 | 第24-26页 |
| ·新型 E-fuse 单元电路 | 第26-28页 |
| ·两种单元电路性能比较 | 第28-33页 |
| ·小结 | 第33页 |
| ·E-fuse 放大器设计 | 第33-36页 |
| ·传统 E-fuse 放大器 | 第33-34页 |
| ·本设计采用的放大器 | 第34-36页 |
| ·延迟电路设计 | 第36-37页 |
| ·字线驱动电路设计 | 第37-38页 |
| ·输出电路设计 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第四章 仿真结果及流片数据分析 | 第41-57页 |
| ·E-fuse 阵列电路仿真结果 | 第41-48页 |
| ·延迟电路信号仿真 | 第41页 |
| ·读操作控制信号仿真 | 第41-42页 |
| ·编程控制信号仿真 | 第42-43页 |
| ·整体电路时序仿真 | 第43-44页 |
| ·电路的功耗 | 第44-46页 |
| ·读操作电流 | 第46-47页 |
| ·编程电流 | 第47-48页 |
| ·E-fuse 版图设计 | 第48-52页 |
| ·整体电路版图结构 | 第49页 |
| ·E-fuse 单元电路版图 | 第49-50页 |
| ·控制电路版图 | 第50-51页 |
| ·译码器电路版图 | 第51页 |
| ·放大器及输出模块版图 | 第51-52页 |
| ·流片结果 | 第52-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·总结 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读学位期间发表的论文及研究成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |