基于多孔氧化铝膜的硅基锗纳米异质外延的研究
| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 插图 | 第10-14页 |
| 表格 | 第14-15页 |
| 目次 | 第15-17页 |
| 1 引言 | 第17-33页 |
| ·硅光子学的发展背景 | 第17-19页 |
| ·锗的性质和应用 | 第19-25页 |
| ·半导体中的缺陷 | 第25-29页 |
| ·硅基锗量子点 | 第29-30页 |
| ·硅基外延锗膜 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 2 量子点低维系统的能带调控仿真 | 第33-57页 |
| ·量子点系统简介 | 第33页 |
| ·能带理论 | 第33-36页 |
| ·应变对能带的影响 | 第36-38页 |
| ·基础仿真 | 第38-47页 |
| ·量子点仿真 | 第47-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 3 以多孔氧化铝为掩膜的衬底图形化 | 第57-69页 |
| ·图形化方法简介 | 第57页 |
| ·多孔氧化铝用于纳米材料制备 | 第57-60页 |
| ·实验步骤 | 第60-66页 |
| ·本章小结 | 第66-69页 |
| 4 锗硅量子点的纳米异质外延和性能表征 | 第69-79页 |
| ·温度相关性 | 第69-72页 |
| ·硅坑尺寸相关性 | 第72-74页 |
| ·锗硅量子点的应变和组分 | 第74-76页 |
| ·有序锗硅量子点的发光 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 5 硅基锗膜的选择性外延研究 | 第79-95页 |
| ·互混的作用 | 第79-84页 |
| ·50nm图形上的纳米异质外延 | 第84-88页 |
| ·无缺陷纳米异质外延 | 第88-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 6 总结与展望 | 第95-99页 |
| ·工作总结 | 第95-96页 |
| ·工作展望 | 第96-99页 |
| 参考文献 | 第99-108页 |
| 发表文章目录 | 第108页 |
