| 第一章 绪论 | 第1-16页 |
| ·概述 | 第7-12页 |
| ·高压功率器件 | 第7页 |
| ·LDMOS器件 | 第7-12页 |
| ·结构和工艺 | 第12-16页 |
| 第二章 LDMOS的阈值电压 | 第16-42页 |
| ·MOSFET电荷分布概述 | 第16-17页 |
| ·MOSFET的静电网络分析及阈值电压 | 第17-21页 |
| ·衬底总电荷Q_(sub) | 第21-27页 |
| ·调整阈值电压注入电荷 | 第21-23页 |
| ·平面MOSFET的总衬底电荷 | 第23-24页 |
| ·LDMOS的固定电荷 | 第24-27页 |
| ·静电系统的电容的计算 | 第27-39页 |
| ·保角变换法计算电容C_(11) | 第27-32页 |
| ·等电压电荷共享模型计算电容C_(22)和C_(33) | 第32-39页 |
| ·阈值电压小结和计算结果比较 | 第39-42页 |
| 第三章 LDMOS伏安特性及导通电阻模型 | 第42-69页 |
| ·沟道电流计算模型 | 第42-47页 |
| ·一般情况下的沟道输出电流 | 第42-45页 |
| ·沟道夹断饱和电压和饱和电流 | 第45-46页 |
| ·沟道区速度饱和效应 | 第46页 |
| ·沟道区伏安特性 | 第46-47页 |
| ·LDMOS的漂移区电阻模型 | 第47-56页 |
| ·积累层电阻 | 第49-50页 |
| ·扩展电阻R_(sp) | 第50-52页 |
| ·体电阻R_(sh) | 第52-53页 |
| ·电流集边效应体电阻和总薄层电阻 | 第53-55页 |
| ·漂移区总导通电阻 | 第55-56页 |
| ·漂移区一般情况下的电流 | 第56-60页 |
| ·速度非饱和的漂移区 | 第57-58页 |
| ·速度饱和的漂移区 | 第58-60页 |
| ·LDMOS总导通电阻 | 第60-64页 |
| ·LDMOS的伏安特性及分析 | 第64-69页 |
| 第四章 结束语 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75页 |