| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-15页 |
| ·研究的背景及意义 | 第7-11页 |
| ·国内外的研究现状 | 第11-13页 |
| ·立题依据 | 第13-14页 |
| ·本研究工作 | 第14-15页 |
| 第二章 γ(X)射线与物质相互作用的机制 | 第15-24页 |
| ·光电效应 | 第15-20页 |
| ·光电子的能量 | 第16-17页 |
| ·光电截面 | 第17-19页 |
| ·光电子的角分布 | 第19-20页 |
| ·康普顿效应(散射) | 第20-22页 |
| ·电子对效应 | 第22-24页 |
| 第三章 剂量增强基本原理 | 第24-27页 |
| ·剂量增强效应的引发机制 | 第24-25页 |
| ·器件的剂量增强效应 | 第25页 |
| ·剂量增强系数DEF | 第25-27页 |
| 第四章 蒙特卡罗(Monte Carlo)方法 | 第27-37页 |
| ·蒙特卡罗方法简介 | 第27页 |
| ·粒子输运问题 | 第27-29页 |
| ·MCNP 基础 | 第29-30页 |
| ·MCNP 解光子在介质中的输运问题 | 第30-32页 |
| ·简单的物理处理过程 | 第30-31页 |
| ·详细的物理处理过程 | 第31-32页 |
| ·MCNP 误差的估计 | 第32-33页 |
| ·MCNP 效率因素 | 第33页 |
| ·减小方差的技巧 | 第33-35页 |
| ·MCNP 程序运行结构 | 第35-37页 |
| 第五章 模型建立和模拟计算 | 第37-40页 |
| ·问题的提出 | 第37-38页 |
| ·物理几何模型的建立 | 第38-39页 |
| ·模拟计算 | 第39-40页 |
| 第六章 数据处理及分析 | 第40-48页 |
| ·MCNP程序用于模拟Au-CuPc结构的剂量增强效应可靠性 | 第40-41页 |
| ·不同金属化层-CuPc结构的剂量增强效应 | 第41-44页 |
| ·界面下DEF | 第41-43页 |
| ·对界面下DEF的分析 | 第43-44页 |
| ·双金属化层-CuPc结构的剂量增强效应 | 第44-48页 |
| 总结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 附录 | 第51-56页 |
| 摘要 | 第56-58页 |
| Abstract | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 导师及作者简介 | 第61页 |