| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 引言 | 第7-10页 |
| ·研究背景 | 第7-9页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第9-10页 |
| 2 半导体材料的发展与分类 | 第10-14页 |
| ·半导体材料的发展 | 第10-11页 |
| ·半导体材料的分类 | 第11-14页 |
| ·元素半导体 | 第11-12页 |
| ·二元化合物半导体 | 第12页 |
| ·氧化物半导体 | 第12页 |
| ·固溶体半导体 | 第12-14页 |
| 3 纳米材料与半导体纳米材料 | 第14-25页 |
| ·纳米材料概述 | 第14页 |
| ·纳米材料的特殊效应 | 第14-16页 |
| ·量子尺寸效应 | 第15页 |
| ·小尺寸效应 | 第15-16页 |
| ·表面效应 | 第16页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第16页 |
| ·纳米材料的特殊性质 | 第16-19页 |
| ·光学性能 | 第16-17页 |
| ·热学性能 | 第17页 |
| ·电学性能 | 第17页 |
| ·磁学性能 | 第17-18页 |
| ·力学性能 | 第18页 |
| ·化学特性 | 第18-19页 |
| ·纳米材料的制备方法 | 第19-20页 |
| ·气相法 | 第19页 |
| ·液相法 | 第19-20页 |
| ·固相法 | 第20页 |
| ·纳米材料的分析表征技术 | 第20-24页 |
| ·X射线衍射分析术 | 第20-22页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)术和电子衍射图(SAED) | 第22页 |
| ·X射线光电子能谱分析(XPS) | 第22-23页 |
| ·紫外-可见吸收光谱法 | 第23-24页 |
| ·半导体纳米材料 | 第24-25页 |
| 4 半导体CdS_(1-x)Se_x纳米材料的制备 | 第25-36页 |
| ·半导体CdS_(1-x)Se_x纳米材料制备的实验过程 | 第25-26页 |
| ·试剂与仪器 | 第25页 |
| ·制备过程 | 第25-26页 |
| ·半导体CdS_(1-x)Se_x纳米材料的外观特征 | 第26-27页 |
| ·半导体CdS_(1-x)Se_x纳米材料的XRD表征 | 第27-29页 |
| ·CdS的XRD表征 | 第27-28页 |
| ·CdSe的XRD表征 | 第28页 |
| ·CdS_(1-x)Se_x的XRD表征 | 第28-29页 |
| ·产物的X光电子能谱(XPS)分析 | 第29-32页 |
| ·半导体固溶体CdS_(1-x)Se_x的透射电镜显微照片(TEM)和选区衍射图(SAED) | 第32-35页 |
| ·反应过程机理分析 | 第35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 5 CdS_(1-x)Se_x纳米材料的晶格常数、带隙与组分x之间的关系 | 第36-44页 |
| ·晶格常数的确定 | 第37-38页 |
| ·晶格常数与组分之间的关系 | 第38-39页 |
| ·紫外-可见吸收光谱的测量与分析 | 第39-42页 |
| ·紫外-可见吸收光谱的测量 | 第39-40页 |
| ·CdS的吸收光谱 | 第40页 |
| ·CdSe的紫外-可见吸收光谱 | 第40-41页 |
| ·CdS_(1-x)Se_x纳米材料的紫外-可见吸收光谱 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-44页 |
| 6 总结 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-52页 |
| 附录: | 第52页 |
| 在职攻读硕士期间发表的论文: | 第52页 |
