环境半导体β-FeSi2的制备及结构性能分析
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-17页 |
第一章 β-FeSi_2的研究背景 | 第17-31页 |
引言 | 第17-18页 |
·Fe-Si相图及FeSi_2相 | 第18-19页 |
·β-FeSi_2薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
·β-FeSi_2/Si的界面取向关系 | 第21-24页 |
·β-FeSi_2掺杂 | 第24-25页 |
·β-FeSi_2的能带结构问题 | 第25-28页 |
·国内外研究现状 | 第28-29页 |
·目前存在的问题及本文的研究目标 | 第29-31页 |
第二章 样品制备 | 第31-36页 |
引言 | 第31页 |
·衬底基片的处理 | 第31页 |
·样品的制备 | 第31-35页 |
·磁控溅射仪简介 | 第31-33页 |
·溅射法的主要优点 | 第31-32页 |
·直流磁控溅射方法及其工作参数选择 | 第32-33页 |
·溅射产额 | 第33页 |
·成核机理 | 第33-34页 |
·制备过程 | 第34-35页 |
·本章小结 | 第35-36页 |
第三章 结构测试及分析 | 第36-52页 |
引言 | 第36页 |
·制备方法对薄膜生长的影响 | 第36-40页 |
·X射线衍射仪原理 | 第36-37页 |
·两种制备方法制备的样品的X射线测试比较分析 | 第37-40页 |
·退火温度对两种不同方法制备出的薄膜质量的影响 | 第40-50页 |
·X射线谱分析 | 第40-44页 |
·SEM扫描电镜及EDAX能谱议分析 | 第44-48页 |
·原子力显微镜分析 | 第48-50页 |
·本章小结 | 第50-52页 |
第四章 光学性质分析 | 第52-63页 |
引言 | 第52页 |
·全自动椭圆偏振光谱仪分析 | 第52-60页 |
·测量原理 | 第52-54页 |
·理论模型计算 | 第54-58页 |
·椭圆偏振光谱分析 | 第58-60页 |
·激光拉曼光谱仪分析 | 第60-62页 |
·测量原理 | 第60页 |
·激光拉曼散射测试分析 | 第60-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
第五章 结论 | 第63-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-70页 |
附录:发表论文及参加课题 | 第70-71页 |
原创性声明 | 第71页 |
关于学位论文使用授权的声明 | 第71页 |