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二维WS2/WSe2半导体的发光温度依赖特性研究

中文摘要第4-5页
英文摘要第5-8页
引言第8-10页
第一章 过渡金属硫化物发光的基本特性与调控法简介第10-29页
    1.1 过渡金属硫化物发光的基本特性第10-19页
        1.1.1 过渡金属硫化物的能带结构第10-12页
        1.1.2 过渡金属硫化物中的激子以及其他准粒子发光第12-19页
    1.2 过渡金属硫化物光学性质的调控方法简介第19-27页
        1.2.1 过渡金属硫化物发光的增强与放大第19-23页
        1.2.2 过渡金属硫化物的能带调控第23-27页
    1.3 本文的选题依据与研究内容第27-29页
第二章 高温下多层硫化钨的荧光增强第29-44页
    2.1 多层硫化钨的机械剥离与厚度表征第29-31页
        2.1.1 多层硫化钨的机械剥离第29-30页
        2.1.2 多层硫化钨的厚度表征第30-31页
    2.2 多层硫化钨的变温光谱分析第31-35页
    2.3 层间解耦合效应及其在多层硫化钨中的验证第35-40页
        2.3.1 过渡金属硫化物的层间解耦合第36页
        2.3.2 层间解耦合效应在硫化钨中的验证第36-40页
    2.4 多层硫化钨中的谷间载流子转移模型第40-44页
        2.4.1 转移电子效应第40-41页
        2.4.2 硫化钼电致发光中的谷间载流子转移效应第41-42页
        2.4.3 热诱导的谷间载流子转移效应第42-44页
第三章 硫化钨中的谷间载流子转移模型第44-52页
    3.1 谷间载流子转移模型的理论论证第44-46页
        3.1.1 载流子分布的计算第44-46页
        3.1.2 K和 Λ/Γ处辐射复合概率的比较第46页
    3.2 谷间载流子转移模型的实验论证第46-48页
    3.3 实验中其他因素对多层硫化钨发光的影响第48-49页
        3.3.1 衬底的影响第48-49页
        3.3.2 激光的影响第49页
    3.4 变温实验前后样品的性质表征第49-52页
第四章 温度对多层硒化钨的能带调控第52-59页
    4.1 多层硒化钨的能带变化第52-55页
    4.2 多层硒化钨中的谷间载流子转移第55-59页
第五章 结论第59-60页
参考文献第60-67页
致谢第67-68页
在学期间成果发表情况第68页

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