| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| ·课题背景和意义 | 第9页 |
| ·空间辐射环境与辐射效应 | 第9-12页 |
| ·空间辐射环境 | 第9-11页 |
| ·辐射总剂量效应 | 第11-12页 |
| ·CMOS集成电路的结构与特点 | 第12-14页 |
| ·MOS结构的电离辐射效应 | 第14-18页 |
| ·MOS结构的电荷和陷阱 | 第14-15页 |
| ·MOS结构的电离辐射效应 | 第15-18页 |
| ·电离辐射效应对MOS器件造成的影响 | 第18页 |
| ·电子元器件辐射效应研究方法 | 第18-19页 |
| ·空间搭载研究方法 | 第18-19页 |
| ·数值模拟研究方法 | 第19页 |
| ·地面试验研究方法 | 第19页 |
| ·研究目的及内容 | 第19-21页 |
| 第2章 试验器件及研究方法 | 第21-30页 |
| ·试验器件 | 第21-23页 |
| ·试验方法 | 第23-30页 |
| ·试验辐照源 | 第23-25页 |
| ·试验测试装置 | 第25-27页 |
| ·测试参数与测试条件 | 第27-30页 |
| 第3章 空间高能粒子辐照吸收剂量计算 | 第30-40页 |
| ·Monte Carlo方法 | 第30-34页 |
| ·Monte Carlo方法概述 | 第30-31页 |
| ·计算程序 | 第31-34页 |
| ·实验室等效注量计算方法及计算结果 | 第34-38页 |
| ·实验室等效注量计算方法 | 第34页 |
| ·计算结果 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 CC4013 集成电路电离辐射损伤效应 | 第40-61页 |
| ·CC4013 器件辐照损伤退化规律 | 第41-55页 |
| ·P沟道阈值电压(VthP)辐照退化规律 | 第41-47页 |
| ·N沟道阈值电压(VthN)辐照退化规律 | 第47-52页 |
| ·MOSFET与CC4013 阈值电压退化规律比较 | 第52-55页 |
| ·CC4013 器件辐照损伤机理分析 | 第55-59页 |
| ·MOS型器件电离辐射机理 | 第55-56页 |
| ·阈值电压退化机理分析 | 第56-57页 |
| ·不同种类辐照源对CC4013 器件辐照损伤机理分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68页 |