短脉冲激光对半导体Si辐照效应的计算研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| ·课题背景及研究目的 | 第9页 |
| ·超短脉冲激光的研究 | 第9-10页 |
| ·超短脉冲激光的简介 | 第9-10页 |
| ·超短脉冲激光载波相位的研究概况 | 第10页 |
| ·激光与物质的相互作用 | 第10-17页 |
| ·激光与物质的相互作用过程 | 第10-12页 |
| ·介质激光损伤机制 | 第12-14页 |
| ·激光与物质相互作用在实际中的应用 | 第14-15页 |
| ·激光微观损伤的研究概况 | 第15-17页 |
| ·空间环境下器件的单粒子效应 | 第17-22页 |
| ·单粒子效应研究意义 | 第18页 |
| ·单粒子效应的地面模拟 | 第18-19页 |
| ·重离子和脉冲激光诱发单粒子效应的基本原理 | 第19-20页 |
| ·脉冲激光模拟单粒子效应的研究概况 | 第20-22页 |
| ·主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 超短脉冲激光新特性的研究 | 第23-32页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·激光脉冲电场的描述 | 第23-25页 |
| ·载波相位对脉冲能量的影响 | 第25-28页 |
| ·载波相位对时间重心的影响 | 第28-31页 |
| ·高斯脉冲的时间重心 | 第28-30页 |
| ·载波相位对高斯脉冲的等效脉冲宽度的影响 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 超短脉冲激光对Si微观损伤的研究 | 第32-49页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·半导体Si的基本性质 | 第32-33页 |
| ·半导体Si的能带结构 | 第32-33页 |
| ·半导体Si的截止波长 | 第33页 |
| ·Si的激发态的计算 | 第33-36页 |
| ·Gaussian计算激发态的理论基础 | 第33-35页 |
| ·Si激发态的计算模型 | 第35页 |
| ·计算结果及分析 | 第35-36页 |
| ·超短脉冲激光辐照半导体Si微观损伤效应的研究 | 第36-47页 |
| ·微观损伤机理 | 第36-37页 |
| ·微观损伤计算模型 | 第37-40页 |
| ·计算结果及分析 | 第40-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 脉冲激光模拟Si器件单粒子效应的研究 | 第49-71页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·激光的能量沉积方式对等效LET的影响 | 第49-58页 |
| ·线性吸收机制的影响 | 第49-52页 |
| ·双光子吸收机制的影响 | 第52-58页 |
| ·半导体器件本身因素的影响 | 第58-62页 |
| ·半导体掺杂浓度的影响 | 第58-61页 |
| ·器件表面的反射和折射的影响 | 第61-62页 |
| ·脉冲激光参数的选择 | 第62-68页 |
| ·激光波长的选择 | 第63-65页 |
| ·激光束斑的选择 | 第65页 |
| ·脉冲能量的选择 | 第65-66页 |
| ·激光脉宽的选择 | 第66-68页 |
| ·算例 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
