基于氧化锌薄膜的电阻开关特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-36页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·ZnO 薄膜的性质 | 第12-14页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第12页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第12页 |
| ·ZnO 的电学性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO 的光学性质 | 第13页 |
| ·ZnO 的其他性质 | 第13-14页 |
| ·新型非挥发性存储器简介 | 第14-20页 |
| ·磁存储器 | 第14-15页 |
| ·铁电存储器 | 第15-16页 |
| ·相变存储器 | 第16-18页 |
| ·电阻式存储器 | 第18页 |
| ·非挥发性存储器性能比较 | 第18-20页 |
| ·电阻式存储器研究进展 | 第20-30页 |
| ·电阻开关效应分类 | 第20-21页 |
| ·电阻式存储器材料 | 第21-23页 |
| ·电阻开关效应的机制 | 第23-28页 |
| ·电流传导机制 | 第28-30页 |
| ·ZnO 电阻存储器国内外研究现状 | 第30-32页 |
| ·ZnO 薄膜的制备工艺 | 第32-34页 |
| ·磁控溅射 | 第33页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第33页 |
| ·分子束外延 | 第33页 |
| ·化学气相沉积 | 第33页 |
| ·喷雾热解法 | 第33-34页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第34页 |
| ·本课题研究内容及意义 | 第34-36页 |
| 第2章 薄膜的制备及其表征技术 | 第36-43页 |
| ·直流反应磁控溅射 | 第36-38页 |
| ·直流反应磁控溅射的原理 | 第36-37页 |
| ·直流反应磁控溅射系统 | 第37-38页 |
| ·真空蒸发法 | 第38-39页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第39-42页 |
| ·X 射线衍射(XRD)测试 | 第39-40页 |
| ·薄膜光学性质的测试 | 第40页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第40-41页 |
| ·I-V 特性曲线测试 | 第41-42页 |
| ·C-V 特性曲线测试 | 第42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 ZnO 电阻开关器件的制备 | 第43-47页 |
| ·薄膜制备准备工作 | 第43页 |
| ·ZnO 薄膜的制备 | 第43-44页 |
| ·铜电极蒸镀过程 | 第44-45页 |
| ·ZnO 薄膜的沉积速率 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 ZnO 电阻开关效应研究 | 第47-70页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·电阻开关现象初探 | 第47-50页 |
| ·沉积时间对ZnO 薄膜性能的影响 | 第50-55页 |
| ·不同沉积时间对ZnO 薄膜晶体结构的影响 | 第50-52页 |
| ·不同沉积时间对电阻开关特性的影响 | 第52-55页 |
| ·氧流量对ZnO 薄膜性能的影 | 第55-60页 |
| ·不同氧流量对ZnO 薄膜晶体结构的影响 | 第55-58页 |
| ·不同氧流量对电阻开关特性的影响 | 第58-60页 |
| ·退火温度对ZnO 薄膜性能的影响 | 第60-65页 |
| ·晶体结构的影响 | 第60-62页 |
| ·表面形貌的影响 | 第62-63页 |
| ·退火温度对电阻开关特性的影响 | 第63-65页 |
| ·电阻状态保持时间研究 | 第65-66页 |
| ·C-V 特性研究 | 第66页 |
| ·导电机制研究 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第5章 透明电阻开关器件 | 第70-74页 |
| ·引言 | 第70页 |
| ·实验过程 | 第70-71页 |
| ·薄膜的表征 | 第71-72页 |
| ·晶体结构 | 第71页 |
| ·表面形貌分析 | 第71-72页 |
| ·光学性能分析 | 第72页 |
| ·电阻开关特性分析 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第6章 结论 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 附录 | 第81-82页 |
| 详细摘要 | 第82-86页 |
