| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 有机场效应晶体管简介 | 第8-15页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管的基本结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的分类 | 第10-11页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管工作原理 | 第11-13页 |
| 1.2.4 有机场效应晶体管的基本参数 | 第13-15页 |
| 1.3 有机单晶场效应晶体管 | 第15-21页 |
| 1.3.1 有机单晶场效应晶体管研究意义 | 第15页 |
| 1.3.2 有机单晶场效应晶体管制备 | 第15-20页 |
| 1.3.3 有机单晶场效应晶体管性能 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的选题依据和意义 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-27页 |
| 第二章 单晶场效应晶体管制备条件的初步探索 | 第27-38页 |
| 2.1 引言 | 第27-28页 |
| 2.2 实验部分 | 第28-29页 |
| 2.2.1. 材料、试剂以及仪器 | 第28页 |
| 2.2.2 实验方法 | 第28-29页 |
| 2.3 OTMS单分子层的制备与表征 | 第29-32页 |
| 2.4 有机单晶生长条件的初步探索 | 第32-33页 |
| 2.4.1 不同溶剂对于晶体生长的影响 | 第32-33页 |
| 2.4.2 不同基底对于晶体生长的影响 | 第33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第三章 基于烯氰基取代的苯并二茚并二噻吩单晶场效应晶体管 | 第38-46页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39页 |
| 3.3 晶体的制备与表征 | 第39-40页 |
| 3.4 单晶场效应晶体管的性能 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第四章 基于酮羰基取代的苯并二茚并二噻吩单晶场效应晶体管 | 第46-56页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 单晶的制备与表征 | 第47-49页 |
| 4.3 C6-DQ分子晶态薄膜生长 | 第49页 |
| 4.4 单晶结构分析 | 第49-51页 |
| 4.5 单晶场效应晶体管的制备与性能 | 第51-52页 |
| 4.5.1 单晶场效应晶体管的制备 | 第51页 |
| 4.5.2 单晶场效应晶体管性能 | 第51-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 总结 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 在学期间的研究成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |