表面处理对GaN荧光光谱的影响
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 1 GaN综述 | 第10-26页 |
| 1.1 GaN的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN的光学性质 | 第11-23页 |
| 1.2.1 简介 | 第11-12页 |
| 1.2.2 基础 | 第12页 |
| 1.2.3 价带结构 | 第12-14页 |
| 1.2.4 GaN的带边发射性质 | 第14-19页 |
| 1.2.5 GaN中与缺陷相关的发射 | 第19-23页 |
| 1.3 GaN的电学性质 | 第23页 |
| 1.4 GaN的应用 | 第23-26页 |
| 1.4.1 半导体激光器(LD) | 第23-24页 |
| 1.4.2 发光二极管(LED) | 第24页 |
| 1.4.3 紫外探测器 | 第24-25页 |
| 1.4.4 高电子迁移率晶体管(HEMT) | 第25页 |
| 1.4.5 金属半导体场效应管(MESFET) | 第25-26页 |
| 2 薄膜制备方法和表征方法 | 第26-36页 |
| 2.1 GaN的制备方法 | 第26-31页 |
| 2.1.1 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第26-27页 |
| 2.1.2 分子束外延(MBE) | 第27-28页 |
| 2.1.3 氢化物汽相外延(HVPE) | 第28-29页 |
| 2.1.4 GaN横向外延生长工艺(ELOG) | 第29-30页 |
| 2.1.5 两步外延生长工艺 | 第30页 |
| 2.1.6 其他制备方法 | 第30-31页 |
| 2.2 GaN的表征方法 | 第31-36页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第31-32页 |
| 2.2.2 反射光谱测量 | 第32-34页 |
| 2.2.3 光致发光光谱(PL) | 第34-36页 |
| 3 GaN的表面处理与钝化 | 第36-40页 |
| 3.1 费米能级钉扎 | 第36-38页 |
| 3.1.1 肖特基势垒 | 第36页 |
| 3.1.2 肖特基-莫特 定律 | 第36-37页 |
| 3.1.3 费米能级钉扎 | 第37-38页 |
| 3.2 GaN的表面处理 | 第38页 |
| 3.2.1 钝化工艺 | 第38页 |
| 3.2.2 GaN表面能带弯曲 | 第38页 |
| 3.3 GaN表面的化学钝化 | 第38-39页 |
| 3.4 GaN表面的薄膜钝化 | 第39-40页 |
| 4 表面态调控对GaN荧光光谱的影响 | 第40-50页 |
| 4.1 GaN薄膜的制备与表面处理 | 第40页 |
| 4.2 酸处理对GaN荧光光谱的影响 | 第40-42页 |
| 4.3 表面钝化对GaN荧光光谱的影响 | 第42-43页 |
| 4.4 表面处理对GaN低温光谱的影响 | 第43-45页 |
| 4.5 GaN可见发光起源的探究 | 第45-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
