| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 引言 | 第14-18页 |
| 1.1 课题的意义及国内外现状分析 | 第14-16页 |
| 1.2 课题研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 PDK组件结构及开发流程 | 第18-23页 |
| 2.1 PDK组件结构 | 第18-19页 |
| 2.2 PDK开发平台 | 第19-20页 |
| 2.3 PDK开发流程 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 VIRTUOSO IC61制程技术文件的开发 | 第23-28页 |
| 3.1 制程技术文件的基本定义 | 第23-25页 |
| 3.2 制程技术文件中约束规则的定义 | 第25-26页 |
| 3.3 SDL技术文件准备 | 第26-27页 |
| 3.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 参数化单元的开发 | 第28-53页 |
| 4.1 参数化单元的定义 | 第28-30页 |
| 4.2 MOSFET晶体管Pcell的开发 | 第30-43页 |
| 4.2.1 MOSFET晶体管相关版图设计规则的定义 | 第30页 |
| 4.2.2 MOSFET晶体管CDF参数定义 | 第30-34页 |
| 4.2.3 参数化定制MOSFET晶体管实现版图结构多样化 | 第34-37页 |
| 4.2.4 利用相对图形演算法实现MOSFET晶体管的参数化版图定制 | 第37-39页 |
| 4.2.5 0.13μm工艺下LOD与WPE效应在Pcell中的实现方式 | 第39-43页 |
| 4.3 射频电感Pcell的开发 | 第43-49页 |
| 4.3.1 射频电感CDF参数定义 | 第43-44页 |
| 4.3.2 利用子单元复用设计实现射频电感的参数化版图定制 | 第44-48页 |
| 4.3.3 电感桥接版图的优化算法 | 第48-49页 |
| 4.4 电阻Pcell的开发 | 第49-52页 |
| 4.4.1 多晶硅电阻CDF参数定义 | 第49-50页 |
| 4.4.2 多晶硅电阻Pcell的参数化版图定制 | 第50-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 一种新的PCELL开发方式 | 第53-69页 |
| 5.1 传统的金属电容的设计方法 | 第53-54页 |
| 5.2 新的金属电容Pcell开发方式 | 第54-55页 |
| 5.3 插指型金属电容Pcell的技术实现指标 | 第55-56页 |
| 5.4 编译LEF/DEF文件实现对金属电容的版图数据创建 | 第56-60页 |
| 5.5 调用第三方EDA工具抽取金属电容 | 第60-62页 |
| 5.6 金属电容值的反馈 | 第62-63页 |
| 5.7 利用SKILL语言实现金属电容计算的自动化 | 第63-68页 |
| 5.8 验证方法的正确性 | 第68页 |
| 5.9 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 PDK配套自动化辅助工具的开发 | 第69-87页 |
| 6.1 基于PDK打造电路设计的自动化应用平台 | 第69-71页 |
| 6.2 PDK自动化配置程序 | 第71-75页 |
| 6.3 SKILL程序的图形化处理 | 第75-76页 |
| 6.4 器件模型配置图形界面的开发 | 第76-79页 |
| 6.5 基于SKILL程序开发的DRC/LVS/PEX图形交互界面 | 第79-86页 |
| 6.5.1 验证文件中开关的图形化处理 | 第80-84页 |
| 6.5.2 其它常规物理验证配置功能 | 第84-86页 |
| 6.6 本章小结 | 第86-87页 |
| 第七章 结束语 | 第87-90页 |
| 7.1 主要工作与创新点 | 第87-89页 |
| 7.2 后续研究工作 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第93页 |
