硅微通道阵列高温氧化及整形技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 硅微通道板技术的发展 | 第8-10页 |
| 1.1.1 传统微通道板技术 | 第8-9页 |
| 1.1.2 硅微通道板技术 | 第9-10页 |
| 1.2 硅微通道板基体绝缘化技术及工艺问题 | 第10-11页 |
| 1.2.1 介质薄膜加厚制备技术 | 第10-11页 |
| 1.2.2 微通道阵列厚层氧化工艺问题及难点 | 第11页 |
| 1.3 主要研究内容及意义 | 第11-13页 |
| 第二章 硅微通道阵列厚层绝缘氧化实验研究 | 第13-31页 |
| 2.1 硅微通道阵列厚层氧化基本原理 | 第13-19页 |
| 2.1.1 硅平面氧化动力学原理 | 第13-17页 |
| 2.1.2 硅微通道阵列结构二维氧化模型 | 第17-19页 |
| 2.2 硅微通道阵列厚层氧化实验研究 | 第19-25页 |
| 2.2.1 硅微通道阵列基体参数 | 第19-22页 |
| 2.2.2 硅微通道阵列厚层氧化流程和工艺参数 | 第22-24页 |
| 2.2.3 硅微通道阵列性能测试表征 | 第24-25页 |
| 2.3 实验结果分析讨论 | 第25-31页 |
| 2.3.1 厚层氧化速率分析 | 第25-26页 |
| 2.3.2 硅微通道阵列基体翘曲形变分析 | 第26-27页 |
| 2.3.3 硅微通道阵列绝缘特性分析 | 第27-28页 |
| 2.3.4 退火后电击穿特性分析 | 第28-29页 |
| 2.3.5 硅微通道阵列厚层氧化后通道形貌分析 | 第29-31页 |
| 第三章 硅微通道阵列厚层氧化热应力有限元分析 | 第31-39页 |
| 3.1 材料热应力的基本关系 | 第31页 |
| 3.2 Abaqus有限元热应力模拟过程 | 第31-35页 |
| 3.2.1 Abaqus有限元分析软件模块和功能 | 第31-33页 |
| 3.2.2 硅微通道阵列单元几何模型选择 | 第33页 |
| 3.2.3 Abaqus有限元网格划分 | 第33-34页 |
| 3.2.4 硅材料参数和力学参数设定 | 第34-35页 |
| 3.2.5 热应力场模拟计算 | 第35页 |
| 3.3 Abaqus有限元模拟结果分析 | 第35-38页 |
| 3.3.1 硅微通道热应力云图 | 第35-36页 |
| 3.3.2 硅微通道位移变化云图 | 第36-38页 |
| 3.3.3 硅微通道氧化温度与热应力的关系 | 第38页 |
| 3.4 小结 | 第38-39页 |
| 第四章 硅微通道阵列高温整形实验研究 | 第39-46页 |
| 4.1 晶体塑性形变机理分析 | 第39-41页 |
| 4.1.1 滑移引起的变形 | 第39-41页 |
| 4.1.2 攀移引起的变形 | 第41页 |
| 4.2 高温整形实验过程 | 第41-42页 |
| 4.2.1 高温整形实验原理 | 第41-42页 |
| 4.2.2 高温整形实验步骤 | 第42页 |
| 4.3 结果分析与讨论 | 第42-45页 |
| 4.3.1 整形温度对硅片平整度的影响 | 第42-43页 |
| 4.3.2 配重块重量对硅片平整度的影响 | 第43-45页 |
| 4.4 小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第50页 |
