电子束光刻的三维加工和邻近效应校正技术研究
| 摘要 | 第1-17页 |
| ABSTRACT | 第17-22页 |
| 缩略词注释表 | 第22-23页 |
| 第一章绪论 | 第23-46页 |
| ·微机电系统及微细加工技术 | 第24-33页 |
| ·微机电系统概述 | 第24-26页 |
| ·微细加工技术 | 第26-33页 |
| ·电子束曝光技术 | 第33-42页 |
| ·电子束曝光机组成 | 第34页 |
| ·电子束曝光机的曝光原理 | 第34-36页 |
| ·电子束抗蚀剂的特性 | 第36-37页 |
| ·抗蚀剂图形制作工艺 | 第37-39页 |
| ·邻近效应及校正 | 第39-40页 |
| ·电子束曝光的计算机模拟 | 第40-42页 |
| ·本论文研究内容 | 第42-45页 |
| ·研究的目的和意义 | 第42-44页 |
| ·论文的主要工作与技术创新点 | 第44-45页 |
| ·论文的内容安排 | 第45-46页 |
| 第二章电子束重复增量扫描生成三维结构的研究 | 第46-72页 |
| ·传统的电子束三维加工方法 | 第47-51页 |
| ·低能变能量曝光 | 第47-48页 |
| ·多层抗蚀剂工艺 | 第48-49页 |
| ·变剂量加工 | 第49-51页 |
| ·电子束重复增量扫描方式 | 第51-67页 |
| ·基于DSP的新型图形发生器 | 第51-55页 |
| ·重复增量扫描方式及曝光模型 | 第55-59页 |
| ·曝光量计算 | 第59-67页 |
| ·实验结果 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第三章抗蚀剂吸收能量密度的计算 | 第72-100页 |
| ·散射效应 | 第73页 |
| ·解析法 | 第73-75页 |
| ·MONTE CARLO模拟法 | 第75-81页 |
| ·电子在固体中的散射模型 | 第75-81页 |
| ·抗蚀剂吸收能量密度的计算 | 第81页 |
| ·邻近函数法 | 第81-98页 |
| ·邻近函数 | 第82-84页 |
| ·邻近函数参数的确定 | 第84-92页 |
| ·改进的邻近函数 | 第92-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 第四章三维结构的邻近效应校正 | 第100-127页 |
| ·邻近效应校正的工艺措施 | 第101-105页 |
| ·改变入射电子束能量 | 第102-103页 |
| ·改变抗蚀剂厚度 | 第103-104页 |
| ·改变衬底材料 | 第104-105页 |
| ·软件校正 | 第105-111页 |
| ·二维校正 | 第106-109页 |
| ·三维剂量校正 | 第109-111页 |
| ·邻近效应计算 | 第111-117页 |
| ·互易原理 | 第111-112页 |
| ·图形能量密度的计算 | 第112-117页 |
| ·重复增量扫描方式校正法 | 第117-126页 |
| ·水平方向的校正 | 第117-120页 |
| ·深度方向的校正 | 第120-124页 |
| ·实验结果 | 第124-126页 |
| ·本章小结 | 第126-127页 |
| 第五章 三维结构显影的计算机模拟 | 第127-156页 |
| ·显影速率模型 | 第128-131页 |
| ·Dill方程 | 第128页 |
| ·Greeneich方程 | 第128-129页 |
| ·Mack方程 | 第129-130页 |
| ·Notch方程 | 第130-131页 |
| ·显影速率参数的确定 | 第131-141页 |
| ·Gauss-Newton迭代法 | 第131-132页 |
| ·遗传算法 | 第132-138页 |
| ·结果分析 | 第138-141页 |
| ·显影模型 | 第141-144页 |
| ·阈值能量密度显影模型 | 第141-142页 |
| ·单元格去除模型 | 第142-143页 |
| ·绳模型 | 第143页 |
| ·光线追迹模型 | 第143-144页 |
| ·光线追迹模型的实现 | 第144-154页 |
| ·算法实现 | 第144-147页 |
| ·射线前进算法的改进 | 第147-148页 |
| ·结果分析 | 第148-154页 |
| ·本章小结 | 第154-156页 |
| 第六章结论 | 第156-161页 |
| 参考文献 | 第161-172页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 | 第172-174页 |
| 致谢 | 第174-175页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第175-188页 |
