硅微通道结构的制作工艺研究
| 第一章 微通道技术概述 | 第1-24页 |
| ·微通道的简介 | 第10页 |
| ·微通道技术的应用 | 第10-15页 |
| ·MCP | 第10-12页 |
| ·μ-TAS | 第12-14页 |
| ·微型热传导器件 | 第14页 |
| ·微型化工设备 | 第14-15页 |
| ·MEMS技术在微通道中的应用 | 第15-19页 |
| ·MEMS介绍 | 第15-16页 |
| ·MEMS技术在微通道制作中的应用 | 第16-19页 |
| ·湿法刻蚀技术 | 第16-17页 |
| ·干法刻蚀技术 | 第17-18页 |
| ·牺牲层技术 | 第18页 |
| ·LIGA和准LIGA技术 | 第18-19页 |
| ·硅电化学深刻蚀微通道的研究现状 | 第19-20页 |
| ·本论文研究内容及所采用的技术路线简介 | 第20页 |
| ·本文研究的重要意义 | 第20-21页 |
| 本章参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 硅电化学刻蚀形成微通道的原理 | 第24-37页 |
| ·多孔硅形成的基本原理 | 第24-26页 |
| ·电化学深刻蚀技术的基本原理 | 第26-29页 |
| ·实验装置 | 第29-33页 |
| ·电化学反应装置 | 第29-31页 |
| ·工艺控制软件介绍 | 第31-32页 |
| ·硅衬底和电解液 | 第32-33页 |
| ·电化学深刻蚀微通道工艺内容 | 第33-35页 |
| ·电化学深刻蚀微通道准备工作 | 第33-35页 |
| ·电化学深刻蚀工艺 | 第35页 |
| 本章参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 电化学刻蚀硅通道的影响因素 | 第37-58页 |
| ·氢氟酸浓度对电化学刻蚀硅微通道的影响 | 第37-39页 |
| ·电化学深刻蚀中的电流-电压特性分析 | 第39-46页 |
| ·硅片存放时间对电化学刻蚀的影响 | 第46-47页 |
| ·背面光照度对电化学刻蚀行为的影响 | 第47-48页 |
| ·温度对电化学刻蚀行为的影响 | 第48-52页 |
| ·磁场对电化学刻蚀行为的影响 | 第52-56页 |
| ·硅电化学刻蚀微通道影响因素小结 | 第56页 |
| 本章参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 硅微通道的氧化研究 | 第58-65页 |
| ·氧化工艺 | 第59-61页 |
| ·氧化技术介绍 | 第59页 |
| ·氧化实验内容 | 第59-61页 |
| ·Bubble现象 | 第61-64页 |
| 本章参考文献 | 第64-65页 |
| 第五章 无掩膜硅微通道刻蚀初步研究 | 第65-77页 |
| ·无掩膜宏多孔硅的模板制备的方法 | 第65-71页 |
| ·湿法腐蚀的缺点 | 第65-66页 |
| ·电化学法刻蚀的优点 | 第66-67页 |
| ·无掩膜硅微通道制备的方案要点 | 第67-71页 |
| ·无掩膜宏多孔硅的制备实验 | 第71-76页 |
| 本章参考文献 | 第76-77页 |
| 第六章 总结 | 第77-80页 |
| ·结论 | 第77-78页 |
| ·硅微通道技术运用展望 | 第78-79页 |
| 本章参考文献 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第81页 |
