| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 1. 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11页 |
| 1.2 研究历史和现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 先进集成封装技术的发展历程 | 第11-12页 |
| 1.2.2 先进集成封装中的多物理效应 | 第12-13页 |
| 1.2.3 多物理效应仿真方法及其高性能计算 | 第13-14页 |
| 1.3 研究方法概述 | 第14页 |
| 1.4 本论文的结构安排和创新点 | 第14-16页 |
| 2. 基于时域有限元的多物理场仿真方法 | 第16-27页 |
| 2.1 有限元基础理论 | 第16-17页 |
| 2.2 多物理场方程及其有限元描述 | 第17-22页 |
| 2.2.1 先进集成封装中的多物理场 | 第18-19页 |
| 2.2.2 多物理场有限元方程 | 第19-22页 |
| 2.3 场间耦合 | 第22-23页 |
| 2.4 多物理场效应有限元求解 | 第23-26页 |
| 2.4.1 有限元一般求解过程 | 第23-25页 |
| 2.4.2 时域有限元求解 | 第25页 |
| 2.4.3 多物理求解流程 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 3. 高性能并行仿真方法 | 第27-47页 |
| 3.1 JAUMIN框架简述 | 第27-30页 |
| 3.2 并行算法实现基础 | 第30-33页 |
| 3.2.1 并行方式 | 第30页 |
| 3.2.2 网格片及数据片 | 第30-33页 |
| 3.3 基于JAUMIN的并行软件设计 | 第33-37页 |
| 3.3.1 时域有限元算法并行实现 | 第33-35页 |
| 3.3.2 多物理耦合并行求解软件设计 | 第35-37页 |
| 3.4 程序的验证 | 第37-41页 |
| 3.4.1 电-热验证 | 第37-38页 |
| 3.4.2 热-力验证 | 第38-39页 |
| 3.4.3 多核验证 | 第39-41页 |
| 3.5 并行程序性能分析 | 第41-46页 |
| 3.5.1 加速比和并行效率 | 第41-42页 |
| 3.5.2 测试条件 | 第42页 |
| 3.5.3 测试结果及性能分析 | 第42-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 4. 封装中大规模键合线阵列多物理效应分析 | 第47-62页 |
| 4.1 基于LDMOSFET的功率放大器的鲁棒性实验 | 第48-51页 |
| 4.1.1 LDMOSFET三维集成结构 | 第48-49页 |
| 4.1.2 鲁棒性实验 | 第49-50页 |
| 4.1.3 实验结果 | 第50-51页 |
| 4.2 实验中键合线的多物理效应分析 | 第51-56页 |
| 4.2.1 电特性分析 | 第51-54页 |
| 4.2.2 热-应力响应 | 第54-56页 |
| 4.3 大规模键合线阵列的电-热-力分析 | 第56-61页 |
| 4.3.1 电磁脉冲波形 | 第56-57页 |
| 4.3.2 键合线阵列在脉冲注入下的电-热-力响应 | 第57-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 5. 系统级封装(SiP)中的多物理效应并行仿真 | 第62-76页 |
| 5.1 SiP模型 | 第62-63页 |
| 5.2 芯片自热效应分析 | 第63-69页 |
| 5.2.1 芯片自热效应下的温度及应力 | 第64-66页 |
| 5.2.2 不同功率及不同材料小的热-应力响应 | 第66-69页 |
| 5.3 脉冲注入下的多物理效应分析 | 第69-72页 |
| 5.4 全系统自热效应分析 | 第72-75页 |
| 5.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 6. 结论与展望 | 第76-78页 |
| 6.1 论文总结 | 第76-77页 |
| 6.2 后继工作的展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 作者简历 | 第83页 |