| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 集成电路的发展 | 第8-10页 |
| 1.2 多层铜互连技术的发展 | 第10-12页 |
| 1.2.1 多层铜互连技术 | 第10-11页 |
| 1.2.2 双大马士革铜工艺 | 第11-12页 |
| 1.3 新型铜互连扩散阻挡层的发展 | 第12-16页 |
| 1.3.1 新型铜互连扩散阻挡层的特点及现状 | 第12-14页 |
| 1.3.2 新型互连扩散阻挡层材料钌(Ru) | 第14-15页 |
| 1.3.3 化学机械抛光(CMP) | 第15-16页 |
| 1.4 阻挡层材料RuCMP中电化学性能研究现状 | 第16-20页 |
| 1.4.1 金属Ru和Cu电化学腐蚀的研究 | 第17-18页 |
| 1.4.2 阻挡层材料Ru电化学研究现状 | 第18-20页 |
| 1.5 本文研究内容及意义 | 第20-22页 |
| 第二章 实验设备及方法 | 第22-30页 |
| 2.1 实验设备 | 第22-26页 |
| 2.1.1 电化学工作站 | 第22-23页 |
| 2.1.2 化学机械抛光设备 | 第23-24页 |
| 2.1.3 电子分析天平 | 第24-25页 |
| 2.1.4 pH计 | 第25页 |
| 2.1.5 磁力搅拌器 | 第25页 |
| 2.1.6 原子力显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2 实验方法及理论分析 | 第26-30页 |
| 2.2.1 电化学测试技术及原理 | 第26-28页 |
| 2.2.1.1 动电位极化曲线(Potentiodynamic polarization curve) | 第26-27页 |
| 2.2.1.2 开路电位(Open circuit potential-OCP) | 第27页 |
| 2.2.1.3 Ru/Cu电偶腐蚀的评价 | 第27-28页 |
| 2.2.2 化学机械抛光工艺 | 第28-30页 |
| 第三章 pH值和双氧水浓度对Ru电化学性能的研究 | 第30-42页 |
| 3.1 pH的影响与氧化剂的选取 | 第30-32页 |
| 3.2 不同pH值对Ru电化学的作用分析 | 第32-37页 |
| 3.2.1 不同pH值对Ru电化学的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.2 不同pH值对Ru/Cu电偶腐蚀的研究 | 第34-37页 |
| 3.3 H_2O_2浓度对Ru电化学的作用分析 | 第37-40页 |
| 3.3.1 H_2O_2浓度对Ru电化学的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 H_2O_2浓度对Ru/Cu电偶腐蚀的研究 | 第38-40页 |
| 3.5 总结 | 第40-42页 |
| 第四章 多羟多胺FA/OII型螯合剂对Ru电化学性能的研究 | 第42-53页 |
| 4.1 螯合剂的选取 | 第42-44页 |
| 4.2 多羟多胺FA/OII型螯合剂对Ru电化学性能的研究 | 第44-50页 |
| 4.2.1 多羟多胺FA/OII型螯合剂对Ru电化学的影响 | 第44-48页 |
| 4.2.2 多羟多胺FA/OII型螯合剂对Ru/Cu电偶腐蚀的研究 | 第48-50页 |
| 4.3 多羟多胺FA/OII型螯合剂对Ru和Cu抛光速率的影响 | 第50-51页 |
| 4.4 总结 | 第51-53页 |
| 第五章 FA/OI型非离子表面活性剂对Ru电化学性能的研究 | 第53-59页 |
| 5.1 表面活性剂的选取 | 第53-54页 |
| 5.2 FA/OI型非离子表面活性剂对Ru电化学的作用分析 | 第54-57页 |
| 5.2.1 FA/OI型非离子表面活性剂对Ru电化学的影响 | 第54-55页 |
| 5.2.2 FA/OI型非离子表面活性剂对Ru/Cu电偶腐蚀的研究 | 第55-57页 |
| 5.3 FA/OI型非离子表面活性剂对Ru/Cu的抛光速率的影响 | 第57-58页 |
| 5.4 总结 | 第58-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
