| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-45页 |
| ·引言 | 第17-18页 |
| ·高介电栅介质材料的研究背景和现状 | 第18-27页 |
| ·金属-氧化物-半导体场效应晶体管的结构和工作原理 | 第18-20页 |
| ·MOSFET尺寸的等比例缩小 | 第20-21页 |
| ·栅介电层极限厚度 | 第21-22页 |
| ·高介电栅介质材料及其选择标准 | 第22-25页 |
| ·高介电栅介质材料的研究现状 | 第25-27页 |
| ·非挥发电荷俘获型存储器 | 第27-33页 |
| ·非挥发性存储器的发展 | 第27-28页 |
| ·评价非挥发性存储器的性能参数 | 第28页 |
| ·快闪存储器的分类 | 第28-29页 |
| ·快闪存储器的操作原理和阵列架构 | 第29-32页 |
| ·电荷俘获型存储器的研究现状 | 第32-33页 |
| ·铜互连技术 | 第33-35页 |
| ·集成电路与印刷电路板中的铜互连技术简介 | 第33-34页 |
| ·电镀铜的自退火现象 | 第34-35页 |
| ·本论文研究的目的和主要内容 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-45页 |
| 第二章 以无水硝酸盐为前驱体,用ALD、CVD方法制备High-k栅介电薄膜及其性能研究 | 第45-93页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·薄膜的制备工艺及结构和电学性能表征 | 第45-65页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第45-57页 |
| ·常用薄膜制备技术 | 第45-47页 |
| ·原子层沉积(ALD)技术 | 第47-53页 |
| ·化学气相沉积(CVD)技术 | 第53-57页 |
| ·薄膜的微结构表征 | 第57页 |
| ·薄膜的电学性能表征 | 第57-65页 |
| ·MOS电容的制备 | 第57-58页 |
| ·电容-电压(C-V)特性 | 第58-64页 |
| ·漏电流-电压(J-V)特性 | 第64-65页 |
| ·其他分析测试方法 | 第65页 |
| ·无水硝酸盐的合成及表征 | 第65-70页 |
| ·无水硝酸铪的合成工艺 | 第66-67页 |
| ·无水铪锆复合硝酸盐的合成工艺 | 第67-68页 |
| ·无水硝酸盐的表征 | 第68-70页 |
| ·硅(Si)衬底的清洗 | 第70页 |
| ·铪铝复合氧化物(Hf-Al-O)薄膜的ALD制备及其性能研究 | 第70-75页 |
| ·沉积工艺 | 第70-71页 |
| ·Hf-Al-O复合薄膜的性能研究 | 第71-75页 |
| ·铪锆复合氧化物(Hf-Zr-O)薄膜的ALD制备及其性能研究 | 第75-79页 |
| ·沉积工艺 | 第75页 |
| ·ALD方法制备的Hf-Zr-O复合薄膜的性能研究 | 第75-79页 |
| ·铪锆复合氧化物(Hf-Zr-O)薄膜的CVD制备及其性能研究 | 第79-83页 |
| ·沉积工艺 | 第79页 |
| ·CVD方法制备的Hf-Zr-O复合薄膜的性能研究 | 第79-82页 |
| ·ALD和CVD方法沉积Hf-Zr-O复合薄膜的比较 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-93页 |
| 第三章 分子原子沉积(MAD)方法制备以Al_2O_3为隧穿层和阻挡层的电荷俘获型存储器的性能研究 | 第93-110页 |
| ·引言 | 第93-94页 |
| ·分子原子沉积(MAD)系统简介 | 第94-96页 |
| ·MANAS型电荷俘获存储器制备工艺 | 第96-99页 |
| ·栅介质层的制备 | 第96-97页 |
| ·器件制备流程 | 第97-99页 |
| ·MAD方法制备的Al_2O_3薄膜性能研究 | 第99-103页 |
| ·MANAS型非挥发存储器的性能研究 | 第103-105页 |
| ·测量设备及参数说明 | 第103页 |
| ·测量结果 | 第103-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 第四章 电镀铜的微结构表征与分析 | 第110-135页 |
| ·引言 | 第110-111页 |
| ·电镀铜微观结构的表征和分析方法 | 第111-116页 |
| ·电子背散射衍射(EBSD)技术 | 第111-116页 |
| ·电子背散射衍射技术的发展历史 | 第111页 |
| ·扫描电镜中的背散射电子 | 第111-112页 |
| ·电子背散射衍射花样的产生原理 | 第112-113页 |
| ·EBSD系统组成与数据获得 | 第113-114页 |
| ·EBSD技术的应用 | 第114-115页 |
| ·实验所用EBSD系统 | 第115-116页 |
| ·X射线衍射(XRD)和聚焦离子束(FIB)技术 | 第116页 |
| ·电镀铜的制备工艺 | 第116-118页 |
| ·微通孔电镀铜的结构表征 | 第118-120页 |
| ·自退火过程中电镀铜的结构变化研究 | 第120-129页 |
| ·衬底的XRD表征 | 第120-122页 |
| ·电镀铜自退火过程的XRD表征 | 第122-123页 |
| ·电镀铜样品的EBSD表征 | 第123-125页 |
| ·电镀铜样品自退火过程分析 | 第125-126页 |
| ·电镀铜样品自退火过程中织构变化机制研究 | 第126-129页 |
| ·本章小结 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-135页 |
| 第五章 结论与展望 | 第135-138页 |
| ·结论 | 第135-136页 |
| ·今后工作展望 | 第136-138页 |
| Publication List | 第138-141页 |
| 致谢 | 第141-143页 |
