| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 GaN基HEMT器件的研究背景及研究意义 | 第12-16页 |
| 1.2 GaN基HEMT器件的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3 GaN基电力电子器件的研究重点 | 第19-24页 |
| 1.3.1 增强型GaN基HEMT器件 | 第19-21页 |
| 1.3.2 垂直型GaN基电力电子器件 | 第21-22页 |
| 1.3.3 GaN基HEMT器件可靠性 | 第22-24页 |
| 1.4 本论文的研究内容及安排 | 第24-26页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件的物理模型及基本结构 | 第26-38页 |
| 2.1 GaN物理模型 | 第26-32页 |
| 2.1.1 Ⅲ族氮化物材料体系的特性 | 第26-27页 |
| 2.1.2 极化效应 | 第27-30页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN HEMT异质结能带结构 | 第30-32页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT结构 | 第32-36页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN HEMT外延结构 | 第32-34页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件结构 | 第34-35页 |
| 2.2.3 AlGaN/GaN HEMT器件参数 | 第35-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT器件漏电及耐压的研究 | 第38-64页 |
| 3.1 器件隔离漏电的研究 | 第38-49页 |
| 3.1.1 离子注入隔离与台面隔离的比较 | 第38-39页 |
| 3.1.2 退火对离子注入隔离的影响 | 第39-41页 |
| 3.1.3 离子注入隔离的漏电来源 | 第41-49页 |
| 3.2 场板提高击穿电压的研究 | 第49-61页 |
| 3.2.1 场板作用原理 | 第49-52页 |
| 3.2.2 影响击穿电压的场板参数 | 第52-61页 |
| 3.3 本章小结 | 第61-64页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的影响因素及老化研究 | 第64-80页 |
| 4.1 AlGaN/GaN欧姆接触的基本原理 | 第64-69页 |
| 4.1.1 各层金属在欧姆接触中的作用 | 第66页 |
| 4.1.2 传输线模型及测试方法 | 第66-69页 |
| 4.2 表面处理对欧姆接触影响 | 第69-71页 |
| 4.3 金属、势垒层厚度及退火温度对欧姆接触影响 | 第71-75页 |
| 4.4 欧姆接触温度可靠性 | 第75-78页 |
| 4.4.1 升温测试 | 第75-76页 |
| 4.4.2 长时间老化 | 第76-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-80页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT动态特性、界面态及介质研究 | 第80-110页 |
| 5.1 电流崩塌物理模型 | 第80-82页 |
| 5.1.1 应力模型 | 第80-81页 |
| 5.1.2 陷阱模型 | 第81页 |
| 5.1.3 虚栅模型 | 第81-82页 |
| 5.2 界面态表征方法 | 第82-91页 |
| 5.2.1 电导法 | 第82-84页 |
| 5.2.2 电容法 | 第84-85页 |
| 5.2.3 改进电容法 | 第85-91页 |
| 5.3 LPCVD SiN_x作为栅介质 | 第91-102页 |
| 5.3.1 LPCVD SiN_x对AlGaN/GaN MIS-HEMT性能影响 | 第91-97页 |
| 5.3.2 界面态表征 | 第97-99页 |
| 5.3.3 物理机制分析 | 第99-102页 |
| 5.4 LPCVD SiN_x作为场板下介质 | 第102-108页 |
| 5.5 本章小结 | 第108-110页 |
| 第六章 AlGaN/GaN HEMT长时间退化研究 | 第110-126页 |
| 6.1 长时间关态退化物理模型 | 第110-112页 |
| 6.1.1 热电子效应 | 第110-111页 |
| 6.1.2 逆压电效应 | 第111-112页 |
| 6.2 长时间关态stress退化测试系统搭建 | 第112-114页 |
| 6.3 AlGaN/GaN MIS-HEMT长时间关态退化测试 | 第114-123页 |
| 6.4 本章小结 | 第123-126页 |
| 第七章 结论与展望 | 第126-130页 |
| 参考文献 | 第130-142页 |
| 致谢 | 第142-144页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第144-147页 |
