| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究工作的背景 | 第10-12页 |
| 1.2 碳化硅BJT功率器件发展概况 | 第12-14页 |
| 1.3 SiC器件研究面临的问题 | 第14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 4H-SiC BJT功率器件特性及物理模型 | 第16-25页 |
| 2.1 4H-SiC BJT的基本工作原理 | 第16-17页 |
| 2.2 4H-SiC BJT器件设计的重要指标 | 第17-19页 |
| 2.2.1 电流增益 | 第17-18页 |
| 2.2.2 比导通电阻 | 第18页 |
| 2.2.3 反向耐压 | 第18-19页 |
| 2.3 4H-SiC BJT器件物理模型与参数 | 第19-24页 |
| 2.3.1 杂质不完全离化模型 | 第19-21页 |
| 2.3.2 Shockley-Read-Hall(SRH)复合模型与俄歇(Auger)复合模型 | 第21页 |
| 2.3.3 禁带宽度变窄模型 | 第21-22页 |
| 2.3.4 碰撞电离模型 | 第22-23页 |
| 2.3.5 迁移率模型 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 高压4H-SiC BJT功率器件结构设计与研究 | 第25-49页 |
| 3.1 高压4H-SiC BJT功率器件结构 | 第25-26页 |
| 3.2 4H-SiC BJT功率器件结构的设计与研究 | 第26-35页 |
| 3.2.1 漂移区参数 | 第26-28页 |
| 3.2.2 基区参数 | 第28-29页 |
| 3.2.3 发射区参数 | 第29-33页 |
| 3.2.3.1 发射区掺杂浓度 | 第29-30页 |
| 3.2.3.2 发射区厚度 | 第30-31页 |
| 3.2.3.3 发射区长度 | 第31-33页 |
| 3.2.4 外基区宽度 | 第33-35页 |
| 3.3 结终端结构设计 | 第35-48页 |
| 3.3.1 场限环(FLR) | 第38-45页 |
| 3.3.1.1 单个场限环 | 第39-41页 |
| 3.3.1.2 均匀间距的场限环结构 | 第41-43页 |
| 3.3.1.3 渐变间距的场限环结构 | 第43-45页 |
| 3.3.2 结终端扩展(JTE) | 第45-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 4H-SiC新型器件结构及氧化工艺研究 | 第49-65页 |
| 4.1 新型器件结构的研究 | 第49-56页 |
| 4.1.1 发射极金属延伸结构 | 第49-53页 |
| 4.1.2 P型界面钝化层结构 | 第53-56页 |
| 4.2 氧化工艺的研究 | 第56-63页 |
| 4.2.1 MOS电容特征 | 第57-58页 |
| 4.2.2 界面陷阱测试方法 | 第58-60页 |
| 4.2.3 氧化实验及测试分析 | 第60-63页 |
| 4.2.3.1 样片准备 | 第61-62页 |
| 4.2.3.2 样片测试与分析 | 第62-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73页 |
