首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体三极管(晶体管)论文--晶体管:按工艺分论文

LTPS TFT层间绝缘层的工艺优化及器件性能的研究

中文摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第9-20页
    1.1 引言第9页
    1.2 LTPS TFT概述第9-12页
        1.2.1 TFT器件发展历史第9-10页
        1.2.2 LTPS TFT发展现状第10-11页
        1.2.3 LTPS TFT制备工艺研究第11-12页
    1.3 LTPS TFT器件结构第12-14页
    1.4 LTPS TFT器件工作原理第14-17页
        1.4.1 MOS构造第14页
        1.4.2 MS构造第14-15页
        1.4.3 TFT工作原理第15-17页
    1.5 本课题的研究内容第17-20页
        1.5.1 本课题研究重点及意义第17-18页
        1.5.2 本课题的主要研究内容第18-20页
第二章 LTPS TFT器件制备工艺及性能表征第20-30页
    2.1 引言第20-21页
    2.2 LTPS TFT阵列制备工艺第21-23页
        2.2.1 光刻工艺第21页
        2.2.2 CVD成膜工艺第21-22页
        2.2.3 PVD成膜工艺第22页
        2.2.4 晶化工艺第22-23页
        2.2.5 刻蚀工艺第23页
    2.3 关键刻蚀参数及测试第23-25页
    2.4 LTPS TFT电学性能测试及表征第25-27页
    2.5 测试原理第27-29页
    2.6 本章小结第29-30页
第三章 层间绝缘层干法刻蚀工艺研究第30-43页
    3.1 引言第30页
    3.2 层间绝缘层干法刻蚀过程及机理第30-33页
        3.2.1 等离子体干法刻蚀原理第30-31页
        3.2.2 等离子体干法刻蚀层间绝缘层过程第31-32页
        3.2.3 等离子体干法刻蚀层间绝缘层机理第32-33页
    3.3 ICP等离子体刻蚀设备第33-34页
    3.4 气氛通量对刻蚀剖面角的影响研究第34-39页
        3.4.1 刻蚀前的准备第34-35页
        3.4.2 实验设计与实验过程第35-36页
        3.4.3 实验结果及分析讨论第36-39页
    3.5 气氛通量对刻蚀选择比的影响研究第39-42页
        3.5.1 刻蚀前的准备第39页
        3.5.2 实验设计与实验过程第39-40页
        3.5.3 实验结果及分析讨论第40-42页
    3.6 本章小结第42-43页
第四章 层间绝缘层干法湿法结合刻蚀工艺优化第43-53页
    4.1 引言第43页
    4.2 层间绝缘层湿法刻蚀原理分析第43-45页
        4.2.1 湿法刻蚀原理第43-44页
        4.2.2 湿法刻蚀的特点第44页
        4.2.3 氢氟酸系缓冲刻蚀液(BHF)刻蚀绝缘层的原理分析第44-45页
    4.3 层间绝缘层过孔刻蚀形貌不良解析第45-46页
    4.4 刻蚀前的准备第46-47页
    4.5 主刻蚀干法刻蚀工艺研究第47-49页
        4.5.1 实验设计与实验过程第47-48页
        4.5.2 实验结果及分析讨论第48-49页
    4.6 辅刻蚀湿法刻蚀工艺研究第49-51页
        4.6.1 氢氟酸系缓冲刻蚀液(BHF)刻蚀速率的测试第49-50页
        4.6.2 实验设计与实验过程第50页
        4.6.3 实验结果及分析讨论第50-51页
    4.7 本章小结第51-53页
第五章 基于层间绝缘层刻蚀优化的器件制备与性能研究第53-66页
    5.1 基于层间绝缘层刻蚀优化的TFT器件制备第53-57页
    5.2 源漏电极欧姆接触SEM形貌表征与分析第57页
    5.3 欧姆接触电阻及器件性能测试与分析第57-61页
    5.4 过孔刻蚀有源层XPS表征与分析第61-63页
    5.5 器件可靠性测试与分析第63-65页
    5.6 本章小结第65-66页
总结与展望第66-69页
参考文献第69-74页
致谢第74-75页
作者简介第75-76页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第76页

论文共76页,点击 下载论文
上一篇:基于复杂适应系统视角下的学习型城市研究--以北京市为例
下一篇:面向亚微米工艺的PSP模型栅极隧穿电流效应自洽性修正