中文摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第9-20页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 LTPS TFT概述 | 第9-12页 |
1.2.1 TFT器件发展历史 | 第9-10页 |
1.2.2 LTPS TFT发展现状 | 第10-11页 |
1.2.3 LTPS TFT制备工艺研究 | 第11-12页 |
1.3 LTPS TFT器件结构 | 第12-14页 |
1.4 LTPS TFT器件工作原理 | 第14-17页 |
1.4.1 MOS构造 | 第14页 |
1.4.2 MS构造 | 第14-15页 |
1.4.3 TFT工作原理 | 第15-17页 |
1.5 本课题的研究内容 | 第17-20页 |
1.5.1 本课题研究重点及意义 | 第17-18页 |
1.5.2 本课题的主要研究内容 | 第18-20页 |
第二章 LTPS TFT器件制备工艺及性能表征 | 第20-30页 |
2.1 引言 | 第20-21页 |
2.2 LTPS TFT阵列制备工艺 | 第21-23页 |
2.2.1 光刻工艺 | 第21页 |
2.2.2 CVD成膜工艺 | 第21-22页 |
2.2.3 PVD成膜工艺 | 第22页 |
2.2.4 晶化工艺 | 第22-23页 |
2.2.5 刻蚀工艺 | 第23页 |
2.3 关键刻蚀参数及测试 | 第23-25页 |
2.4 LTPS TFT电学性能测试及表征 | 第25-27页 |
2.5 测试原理 | 第27-29页 |
2.6 本章小结 | 第29-30页 |
第三章 层间绝缘层干法刻蚀工艺研究 | 第30-43页 |
3.1 引言 | 第30页 |
3.2 层间绝缘层干法刻蚀过程及机理 | 第30-33页 |
3.2.1 等离子体干法刻蚀原理 | 第30-31页 |
3.2.2 等离子体干法刻蚀层间绝缘层过程 | 第31-32页 |
3.2.3 等离子体干法刻蚀层间绝缘层机理 | 第32-33页 |
3.3 ICP等离子体刻蚀设备 | 第33-34页 |
3.4 气氛通量对刻蚀剖面角的影响研究 | 第34-39页 |
3.4.1 刻蚀前的准备 | 第34-35页 |
3.4.2 实验设计与实验过程 | 第35-36页 |
3.4.3 实验结果及分析讨论 | 第36-39页 |
3.5 气氛通量对刻蚀选择比的影响研究 | 第39-42页 |
3.5.1 刻蚀前的准备 | 第39页 |
3.5.2 实验设计与实验过程 | 第39-40页 |
3.5.3 实验结果及分析讨论 | 第40-42页 |
3.6 本章小结 | 第42-43页 |
第四章 层间绝缘层干法湿法结合刻蚀工艺优化 | 第43-53页 |
4.1 引言 | 第43页 |
4.2 层间绝缘层湿法刻蚀原理分析 | 第43-45页 |
4.2.1 湿法刻蚀原理 | 第43-44页 |
4.2.2 湿法刻蚀的特点 | 第44页 |
4.2.3 氢氟酸系缓冲刻蚀液(BHF)刻蚀绝缘层的原理分析 | 第44-45页 |
4.3 层间绝缘层过孔刻蚀形貌不良解析 | 第45-46页 |
4.4 刻蚀前的准备 | 第46-47页 |
4.5 主刻蚀干法刻蚀工艺研究 | 第47-49页 |
4.5.1 实验设计与实验过程 | 第47-48页 |
4.5.2 实验结果及分析讨论 | 第48-49页 |
4.6 辅刻蚀湿法刻蚀工艺研究 | 第49-51页 |
4.6.1 氢氟酸系缓冲刻蚀液(BHF)刻蚀速率的测试 | 第49-50页 |
4.6.2 实验设计与实验过程 | 第50页 |
4.6.3 实验结果及分析讨论 | 第50-51页 |
4.7 本章小结 | 第51-53页 |
第五章 基于层间绝缘层刻蚀优化的器件制备与性能研究 | 第53-66页 |
5.1 基于层间绝缘层刻蚀优化的TFT器件制备 | 第53-57页 |
5.2 源漏电极欧姆接触SEM形貌表征与分析 | 第57页 |
5.3 欧姆接触电阻及器件性能测试与分析 | 第57-61页 |
5.4 过孔刻蚀有源层XPS表征与分析 | 第61-63页 |
5.5 器件可靠性测试与分析 | 第63-65页 |
5.6 本章小结 | 第65-66页 |
总结与展望 | 第66-69页 |
参考文献 | 第69-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
作者简介 | 第75-76页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第76页 |