| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 半导体材料的掺杂 | 第8-10页 |
| 1.2 二次离子质谱仪 | 第10-11页 |
| 1.3 研究目的和意义 | 第11-14页 |
| 第2章 离子植入原理与工艺特点 | 第14-28页 |
| 2.1 离子植入原理 | 第14-21页 |
| 2.1.1 离子植入系统介绍 | 第14-19页 |
| 2.1.2 先进的离子植入技术 | 第19-21页 |
| 2.2 植入离子的主要特性 | 第21-28页 |
| 2.2.1 注入离子在靶材中的分布 | 第24-26页 |
| 2.2.2 沟道效应 | 第26页 |
| 2.2.3 植入损伤与退火 | 第26-28页 |
| 第3章 二次离子质谱分析原理与应用 | 第28-42页 |
| 3.1 二次离子的获取与定量分析 | 第28-33页 |
| 3.1.1 二次离子的获取 | 第28-29页 |
| 3.1.2 二次离子的定量分析 | 第29-33页 |
| 3.2 二次离子质谱仪的应用 | 第33-42页 |
| 3.2.1 磁质谱仪IMS-6F的分析过程 | 第36-39页 |
| 3.2.2 四极杆质谱仪ATOMIKA 4500 分析过程 | 第39-42页 |
| 第4章 SIMS分析条件优化 | 第42-48页 |
| 4.1 体掺杂样品分析条件优化 | 第42-43页 |
| 4.2 残存气体元素分析条件的优化 | 第43-45页 |
| 4.3 微区超薄掺杂层分析条件优化 | 第45-48页 |
| 第5章 SIMS定性定量分析掺杂工艺 | 第48-66页 |
| 5.1 元素污染对掺杂工艺的影响 | 第48-50页 |
| 5.2 能量偏差对掺杂工艺的影响 | 第50-52页 |
| 5.3 剂量偏差对掺杂工艺的影响 | 第52-58页 |
| 5.4 角度偏差对掺杂工艺的影响 | 第58-64页 |
| 5.5 SIMS分析掺杂工艺参数的优化结果 | 第64-66页 |
| 第6章 结论和展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |