| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-12页 |
| 1.2 SiC欧姆接触的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 研究思想和研究内容 | 第14-16页 |
| 2 SiC欧姆接触相关理论及计算方法 | 第16-34页 |
| 2.1 SiC欧姆接触理论 | 第16-27页 |
| 2.1.1 金属与SiC接触的相关参数 | 第16-18页 |
| 2.1.2 肖特基势垒形成机制 | 第18-20页 |
| 2.1.3 肖特基势垒的影响因素 | 第20-25页 |
| 2.1.4 欧姆接触的形成机制及形成条件 | 第25-27页 |
| 2.2 金属/石墨烯/4H-SiC肖特基势垒高度的计算 | 第27-33页 |
| 2.2.1 VASP下的计算过程 | 第27-29页 |
| 2.2.2 能带补偿方法计算 | 第29-31页 |
| 2.2.3 局域态密度计算 | 第31-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 金属/石墨烯/4H-SiC界面模型 | 第34-46页 |
| 3.1 结构选取 | 第34-41页 |
| 3.1.1 SiC结构的选取 | 第35-38页 |
| 3.1.2 石墨烯结构的选取 | 第38页 |
| 3.1.3 金属结构的选取 | 第38-40页 |
| 3.1.4 金属/石墨烯/SiC结构的搭建 | 第40-41页 |
| 3.2 VASP参数测试 | 第41-45页 |
| 3.2.1 交换关联泛函的选取 | 第41-42页 |
| 3.2.2 平面波截断能的选取 | 第42-44页 |
| 3.2.3 k空间网格取样 | 第44-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 金属/石墨烯/4H-SiC的肖特基势垒高度及界面性质分析 | 第46-60页 |
| 4.1 金属/石墨烯/SiC计算的准确性分析 | 第46-48页 |
| 4.1.1 优化后的结构 | 第46-48页 |
| 4.1.2 晶格失配的影响 | 第48页 |
| 4.2 金属/石墨烯/Sic的肖特基势垒降低量计算结果 | 第48-54页 |
| 4.2.1 肖特基势垒高度降低量 | 第48-50页 |
| 4.2.2 肖特基势垒降低量与金属功函数的关系 | 第50-52页 |
| 4.2.3 局域态密度方法验证 | 第52-54页 |
| 4.3 肖特基势垒偏移量的影响因素 | 第54-59页 |
| 4.3.1 界面原子间的相互作用情况分析 | 第54-57页 |
| 4.3.2 金属诱导界面态的分析 | 第57-58页 |
| 4.3.3 C原子对肖特基势垒的影响 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
