| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1.INTRODUCTION | 第10-15页 |
| 1.1.INTERFACE DEFECT CHARACTERIZATION METHODS | 第10-13页 |
| 1.1.1.C-V measurement | 第10-11页 |
| 1.1.2.Charge pumping(CP) | 第11-12页 |
| 1.1.3.Stress induced leakage current(SILC) | 第12-13页 |
| 1.2.OBJECTIVE OF THE PROJECT | 第13-15页 |
| 2.EXPERIMENTAL DETAILS | 第15-18页 |
| 2.1.TEST SAMPLE PREPARATION | 第15页 |
| 2.2.CHARACTERIZATION TECHNIQUES | 第15-18页 |
| 2.2.1.I-V test | 第15页 |
| 2.2.2.CV test | 第15-16页 |
| 2.2.3.Charge pumping test | 第16-17页 |
| 2.2.4.SILC test | 第17-18页 |
| 3.RESULTSAND DISCUSSION | 第18-43页 |
| 3.1.CV AND CP CHARACTERISTICS IN ULTRA-THIN OXIDES | 第18-24页 |
| 3.1.1.C-V characteristics of ultra-thin oxides | 第18-22页 |
| 3.1.2.CP characteristics of ultra-thin oxides | 第22-24页 |
| 3.2.I-V BEHAVIOR OF FRESH AND STRESSED MOS CAPACITORS WITH ULTRA-THIN OXIDES | 第24-26页 |
| 3.3.CHARACTERISTICS OF SILC AT LOW VOLTAGES (LV-SILC) | 第26-31页 |
| 3.3.1.LV-SILC characteristics | 第26页 |
| 3.3.2.Conduction mechanism of LV-SILC | 第26-31页 |
| 3.4.INTERFACE DEFECT GENERATION PROBED BY LV-SILC | 第31-37页 |
| 3.5.LIFETIME PROJECTION USING D_(IT) SENSED BY LV-SILC | 第37-40页 |
| 3.6.MECHANISM OF OXIDE BREAKDOWN | 第40-43页 |
| 4.CONCLUSION | 第43-45页 |
| ACKNOWLEDGEMENTS | 第45-46页 |
| REFERENCES | 第46-50页 |
| CURRICULUM VITAE | 第50-51页 |
| PUBLICATIONS | 第51-52页 |
