| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 注释表 | 第17-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-33页 |
| 1.1 引言 | 第19-20页 |
| 1.2 锗晶圆的研究现状 | 第20-25页 |
| 1.2.1 锗晶片的加工技术 | 第21-22页 |
| 1.2.2 锗晶片的需求和标准 | 第22-24页 |
| 1.2.3 锗晶片的抛光技术现状 | 第24-25页 |
| 1.3 抛光技术的研究现状 | 第25-29页 |
| 1.3.1 固结磨料抛光技术 | 第26-27页 |
| 1.3.2 低温抛光技术 | 第27-28页 |
| 1.3.3 抛光去除机理的理论研究 | 第28-29页 |
| 1.4 研究目的、意义和内容 | 第29-31页 |
| 1.4.1 目的与意义 | 第29页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第29-31页 |
| 1.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第二章 单晶锗片的脆塑转变机理研究 | 第33-48页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 低温下单晶锗片的脆塑转变机理 | 第33-37页 |
| 2.2.1 实验装置与方法 | 第33-35页 |
| 2.2.2 结果分析与讨论 | 第35-37页 |
| 2.3 压痕法研究单晶锗片的力学性能 | 第37-41页 |
| 2.3.1 实验装置与方法 | 第38-39页 |
| 2.3.2 结果分析与讨论 | 第39-41页 |
| 2.4 划痕法研究单晶锗片的脆塑转变性能 | 第41-47页 |
| 2.4.1 实验方法 | 第41-42页 |
| 2.4.2 实验结果与分析 | 第42-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 低温抛光工具的制备 | 第48-69页 |
| 3.1 引言 | 第48页 |
| 3.2 微纳米粒子的分散技术 | 第48-51页 |
| 3.2.1 微细颗粒在液相中的分散原理 | 第48-49页 |
| 3.2.2 微细颗粒在液相介质中的分散方法 | 第49-50页 |
| 3.2.3 微细颗粒液相分散性的评价方法 | 第50-51页 |
| 3.3 纳米 α-Al_2O_3在水相介质中的分散性能研究 | 第51-56页 |
| 3.3.1 实验方法 | 第51页 |
| 3.3.2 结果分析与讨论 | 第51-56页 |
| 3.4 冰冻固结磨料抛光盘的制备 | 第56-63页 |
| 3.4.1 冻冰模具的设计 | 第56-58页 |
| 3.4.2 热阻层厚度分析 | 第58-61页 |
| 3.4.3 冰冻固结磨料抛光盘的制备工艺 | 第61-63页 |
| 3.5 冰冻固结磨料抛光盘的磨损 | 第63-67页 |
| 3.5.1 磨粒磨损的特征与机理 | 第63-64页 |
| 3.5.2 冰冻固结磨料抛光盘的磨损特性 | 第64-67页 |
| 3.6 本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 冰冻固结磨料抛光单晶锗片的温度场研究 | 第69-80页 |
| 4.1 引言 | 第69页 |
| 4.2 冰冻固结磨料抛光温度场有限元模拟 | 第69-72页 |
| 4.2.1 冰冻固结磨料抛光温度场有限元模型的建立 | 第69-71页 |
| 4.2.2 冰冻固结磨料抛光温度场计算流程 | 第71-72页 |
| 4.3 冰冻固结磨料抛光温度场计算结果与分析 | 第72-79页 |
| 4.3.1 温度测量系统 | 第72-73页 |
| 4.3.2 冰冻固结磨料抛光温度场的仿真值验证 | 第73-74页 |
| 4.3.3 不同环境温度下抛光时间对抛光盘温度场的影响 | 第74-76页 |
| 4.3.4 气缸压力对抛光盘温度场的影响 | 第76-77页 |
| 4.3.5 抛光盘转速对抛光盘温度场的影响 | 第77-78页 |
| 4.3.6 偏心距对抛光盘温度场的影响 | 第78-79页 |
| 4.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 冰冻固结磨料抛光运动轨迹及去除速率仿真 | 第80-94页 |
| 5.1 引言 | 第80页 |
| 5.2 冰冻固结磨料抛光运动轨迹仿真 | 第80-85页 |
| 5.2.1 冰冻固结磨料抛光运动轨迹理论分析 | 第80-82页 |
| 5.2.2 工件旋转方向的确定 | 第82-83页 |
| 5.2.3 冰盘和工件间的摩擦力矩 | 第83页 |
| 5.2.4 压头和工件承载器的摩擦力矩 | 第83-84页 |
| 5.2.5 工件转速的理论计算 | 第84-85页 |
| 5.3 冰冻抛光盘单颗磨粒抛光运动轨迹 | 第85-89页 |
| 5.3.1 冰冻抛光盘上磨粒位置对其运动轨迹的影响 | 第85-86页 |
| 5.3.2 冰冻抛光盘与工件之间转速比对单颗磨粒运动轨迹的影响 | 第86-87页 |
| 5.3.3 冰冻抛光盘多颗磨粒抛光运动轨迹 | 第87-88页 |
| 5.3.4 冰冻抛光盘抛光运动轨迹对锗片表面质量的影响 | 第88-89页 |
| 5.4 冰冻抛光盘抛光锗片去除速率的预测 | 第89-93页 |
| 5.4.1 冰冻固结磨料抛光去除模型建立 | 第89-91页 |
| 5.4.2 数值模拟分析 | 第91-93页 |
| 5.5 本章小结 | 第93-94页 |
| 第六章 分层冰冻固结磨料抛光单晶锗薄片的工艺研究 | 第94-121页 |
| 6.1 引言 | 第94页 |
| 6.2 冰冻固结磨料抛光单晶锗薄片的实验方法 | 第94-99页 |
| 6.2.1 单晶锗片的粘结工艺 | 第94-96页 |
| 6.2.2 单晶锗片的加工流程 | 第96页 |
| 6.2.3 冰冻抛光盘表面的修整 | 第96页 |
| 6.2.4 单晶锗片的表面形貌表征方法 | 第96-98页 |
| 6.2.5 单晶锗片的材料去除率测定 | 第98-99页 |
| 6.3 单层冰冻固结磨料抛光单晶锗片的工艺研究 | 第99-104页 |
| 6.3.1 环境温度对单晶锗片去除率的影响 | 第99-102页 |
| 6.3.2 抛光盘沟槽对锗片抛光的影响 | 第102-103页 |
| 6.3.3 不同磨料抛光盘对工件表面粗糙度和去除率的影响 | 第103-104页 |
| 6.4 单层冰冻固结磨料低温抛光单晶锗片的工艺优化 | 第104-110页 |
| 6.4.1 田口法 | 第105-109页 |
| 6.4.2 综合评定法 | 第109-110页 |
| 6.5 多层冰冻固结磨料抛光盘低温抛光单晶锗片的工艺研究 | 第110-119页 |
| 6.5.1 多层冰冻固结磨料抛光盘的总体设计 | 第111-112页 |
| 6.5.2 多层冰冻固结磨料抛光盘的抛光工艺设计 | 第112-114页 |
| 6.5.3 多层冰冻固结磨料抛光垫的各层厚度设计 | 第114-115页 |
| 6.5.4 多层冰冻固结磨料抛光盘的抛光性能验证 | 第115-119页 |
| 6.5.5 单晶锗片抛光塑性去除分析 | 第119页 |
| 6.6 本章小结 | 第119-121页 |
| 第七章 结论与展望 | 第121-124页 |
| 7.1 全文总结 | 第121-123页 |
| 7.1.1 本文完成的主要工作 | 第121-122页 |
| 7.1.2 本文的创新点 | 第122-123页 |
| 7.2 展望 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第135页 |
