| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 电沉积通孔互连技术 | 第12-15页 |
| 1.2 印制电路通孔互连电沉积技术研究进展 | 第15-26页 |
| 1.2.1 电镀添加剂的作用 | 第15-17页 |
| 1.2.2 电镀添加剂间的相互作用 | 第17-23页 |
| 1.2.3 PTH电沉积技术研究进展 | 第23-24页 |
| 1.2.4 THF电沉积技术研究进展 | 第24-26页 |
| 1.3 课题研究意义及内容 | 第26-29页 |
| 1.3.1 课题研究意义 | 第26-27页 |
| 1.3.2 课题研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 酸性镀铜添加剂性能研究 | 第29-54页 |
| 2.1 加速剂DPS、SPS、MPS的性能研究 | 第29-44页 |
| 2.1.1 分子动力学模拟SPS与DPS分子吸附行为的研究 | 第29-33页 |
| 2.1.2 量子化学计算SPS与DPS分子电子特性及分子轨道的研究 | 第33-36页 |
| 2.1.3 SPS与DPS电化学性能研究 | 第36-40页 |
| 2.1.4 DPS作用机理研究 | 第40-44页 |
| 2.2 含氮杂环加速剂的合成及性能研究 | 第44-52页 |
| 2.2.1 含氮杂环加速剂的合成 | 第44-48页 |
| 2.2.2 含氮杂环加速剂的电化学性能研究 | 第48-50页 |
| 2.2.3 含氮杂环加速剂电镀效果测试 | 第50-52页 |
| 2.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 薄介质型通孔电镀加厚技术研究 | 第54-61页 |
| 3.1 三组分添加剂体系与两组分添加剂体系PTH技术研究 | 第54-57页 |
| 3.1.1 实验材料与仪器 | 第54页 |
| 3.1.2 实验 | 第54-55页 |
| 3.1.3 实验结果与分析 | 第55-57页 |
| 3.2 两组分体系薄介质型PTH电镀铜工艺影响因素研究 | 第57-60页 |
| 3.2.1 镀液成分对PTH电镀铜的影响 | 第58-59页 |
| 3.2.2.电镀操作条件对PTH电镀铜的影响 | 第59-60页 |
| 3.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 薄介质型通孔填铜技术研究 | 第61-76页 |
| 4.1 THF电镀铜整平剂的筛选 | 第61-65页 |
| 4.1.1 THF电镀铜整平剂的电化学筛选 | 第61-63页 |
| 4.1.2 筛选的THF电镀铜整平剂电镀试验验证 | 第63-65页 |
| 4.2 薄介质型通孔THF电镀铜影响因素研究 | 第65-70页 |
| 4.2.1 气流量高低对THF电镀铜的影响 | 第67-68页 |
| 4.2.2 硫酸浓度对THF电镀铜的影响 | 第68页 |
| 4.2.3 氯离子浓度对通孔填充的影响 | 第68-69页 |
| 4.2.4 抑制剂浓度对通孔填充的影响 | 第69页 |
| 4.2.5 整平剂浓度对通孔填充的影响 | 第69-70页 |
| 4.3 THF电镀铜填孔过程研究 | 第70-74页 |
| 4.3.1 不同时间段填孔实验 | 第70页 |
| 4.3.2 通孔填孔机理分析 | 第70-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 结论与展望 | 第76-78页 |
| 5.1 结论 | 第76-77页 |
| 5.2 展望 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-86页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第86-87页 |
