三维集成电路中新型互连结构的建模方法与特性研究
| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-15页 |
| 1 绪论 | 第15-29页 |
| ·研究背景 | 第15-18页 |
| ·研究现状 | 第18-27页 |
| ·碳纳米互连 | 第18-22页 |
| ·三维集成及桂通孔技术 | 第22-26页 |
| ·集成电路中的热问题 | 第26-27页 |
| ·论文的主要研究工作和创新点 | 第27-29页 |
| 2 碳纳米材料及其制备方法 | 第29-45页 |
| ·碳纳米互连 | 第30-36页 |
| ·石墨缔能带结构 | 第32-33页 |
| ·纳来线能带结构 | 第33-36页 |
| ·等效电路建模方法研究 | 第36-38页 |
| ·导电沟道数和单位长度电阻 | 第38-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 3 碳纳米互连特性研究 | 第45-61页 |
| ·多层石墨烯纳米带互连的特性分析 | 第45-50页 |
| ·等效电阻率分析 | 第50-53页 |
| ·时延和串扰分析 | 第53-58页 |
| ·时延和接触电阻影响分析 | 第53-54页 |
| ·石墨烯纳米带间串扰特性分析 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-61页 |
| 4 高密度硅通孔阵列特性研究 | 第61-83页 |
| ·硅通孔对模型 | 第62-72页 |
| ·部分元等效电路方法研究 | 第63-65页 |
| ·硅通孔中的MOS效应研究 | 第65-70页 |
| ·传输性能预测和分析 | 第70-72页 |
| ·硅通孔阵列参数提取方法研究 | 第72-75页 |
| ·多物理场计算方法及热串扰特性研究 | 第75-80页 |
| ·本章小结 | 第80-83页 |
| 5 同轴硅通孔互连建模和自屏蔽效应研究 | 第83-97页 |
| ·等效电路模型及MOS电容提取方法 | 第85-91页 |
| ·特征阻抗和传输特性研究 | 第91-93页 |
| ·电-热瞬态响应和功率容量研究 | 第93-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 6 三维集成电路中互连线寄生参数的实验测量研究 | 第97-107页 |
| ·片上互连线寄生参数的测量技术研究 | 第98-100页 |
| ·硅通孔参数测量技术研究 | 第100-102页 |
| ·测量结果与数据分析 | 第102-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 7 碳纳米材料在集成电路中的应用研究 | 第107-123页 |
| ·碳纳米管填充硅通孔和等效电导率 | 第108-115页 |
| ·传输特性预测方法 | 第109-111页 |
| ·串扰特性分析 | 第111-115页 |
| ·碳纳米管电容和电路建模的方法研究 | 第115-120页 |
| ·全碳散热和热管理 | 第120-121页 |
| ·本章小结 | 第121-123页 |
| 8 总结与展望 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-139页 |
| 作者简历 | 第139-141页 |
