| 中文摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 1 绪论 | 第12-39页 |
| ·磁性基本知识 | 第15-20页 |
| ·物质的磁性 | 第15-18页 |
| ·过渡金属、稀土金属及其部分常见化合物的磁性 | 第18-20页 |
| ·ZNO的材料基本特性 | 第20-22页 |
| ·稀磁半导体发展历史 | 第22-23页 |
| ·ZNO基稀磁半导体的研究现状 | 第23-36页 |
| ·ZnO掺Mn体系研究 | 第23-30页 |
| ·ZnO掺Co体系的研究 | 第30-33页 |
| ·ZnO掺杂其他过渡金属的研究 | 第33-36页 |
| ·本节总结 | 第36页 |
| ·稀磁半导体中铁磁性起源理论解释 | 第36-38页 |
| ·本文的选题目的及意义 | 第38-39页 |
| 2 实验仪器和设备工作原理 | 第39-55页 |
| ·半导体薄膜常用制备实验仪器 | 第39-47页 |
| ·原子层沉积技术 | 第39-41页 |
| ·反应气相沉积法(RVD) | 第41-42页 |
| ·电子束蒸发设备和基本结构 | 第42-45页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第45-46页 |
| ·磁控溅射(Magnetron Sputtering)技术 | 第46-47页 |
| ·半导体材料常用表征技术 | 第47-55页 |
| ·高分辨X射线衍射(HRXRD) | 第47-49页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第49-50页 |
| ·电子显微镜 | 第50-51页 |
| ·物理性质测量系统(PPMS) | 第51页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第51-53页 |
| ·光致发光谱(PL:Photo Luminescence) | 第53-55页 |
| 3 室温铁磁薄膜的制备工艺和表征 | 第55-63页 |
| ·Cu掺ZNO基磁性薄膜的制备 | 第55-56页 |
| ·制备Cu掺ZnO靶材实验过程 | 第55-56页 |
| ·ZnO掺Cu制备薄膜实验过程 | 第56页 |
| ·ZNO掺Cu磁性薄膜的表征 | 第56-61页 |
| ·Zn_(1-x)Cu_xO和Zn_(1-x-y)Cu_xAl_yO薄膜的XRD表征 | 第56-58页 |
| ·Zn_(1-x)Cu_xO和Zn_(1-x-y)Cu_xAl_yO薄膜的形貌 | 第58-59页 |
| ·能量色散光谱仪测定Zn_(1-x)Cu_xO和Zn_(1-x-y)Cu_xAl_yO薄膜各元素组分 | 第59-60页 |
| ·X射线光电子能谱分析Zn_(1_x)Cu_xO和Zn_(1-x-y)Cu_xAl_yO薄膜 | 第60-61页 |
| ·对ZN_(1-x)CU_xO和ZN_(1-x-y)CU_xAL_YO磁性测定 | 第61-63页 |
| 4 ZNO掺杂CU磁性特性讨论 | 第63-69页 |
| ·载流子的浓度与磁性的关系 | 第63-67页 |
| ·退火气氛对磁性的影响 | 第67-68页 |
| ·磁性来源讨论 | 第68-69页 |
| 5 ZNO纳米花结构的制备和物理改性 | 第69-79页 |
| ·ZNO纳米结构制备工艺 | 第69页 |
| ·形貌结构表征 | 第69-73页 |
| ·纳米结构的光学性能 | 第73-74页 |
| ·利用ALD方法进行表面物理改性 | 第74页 |
| ·表面生长薄膜后形貌结构表征 | 第74-77页 |
| ·包裹生长薄膜后的光学性能改善 | 第77-79页 |
| 6 CU_2O/ZNO异质结制备和表征 | 第79-82页 |
| 7 全文总结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-92页 |
| 攻读博士期间完成的工作 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93页 |