研究和降低垂直型LPCVD制备氮化硅膜的微粒污染
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| ·半导体集成电路的发展简介 | 第12-13页 |
| ·微粒污染对集成电路的影响 | 第13-15页 |
| ·微粒污染的测量方法 | 第15-19页 |
| 第二章 氮化硅工艺 | 第19-24页 |
| ·氮化硅的特点及应用 | 第19页 |
| ·集成电路中的氮化硅工艺 | 第19-22页 |
| ·LPCVD 淀积氮化硅 | 第20-22页 |
| ·PECVD 淀积氮化硅 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 LPCVD 与微粒污染的关系 | 第24-38页 |
| ·LPCVD 设备与微粒污染的关系 | 第24-34页 |
| ·反应腔体与微粒污染的关系 | 第25-27页 |
| ·晶圆储存与传输系统与微粒污染的关系 | 第27-28页 |
| ·气压控制系统与微粒污染的关系 | 第28-31页 |
| ·气体控制系统与微粒污染的关系 | 第31-32页 |
| ·温度控制系统与微粒状况的关系 | 第32-34页 |
| ·LPCVD 氮化硅制程与微粒污染的关系 | 第34-37页 |
| ·氮化硅淀积前 | 第35-36页 |
| ·氮化硅淀积 | 第36-37页 |
| ·氮化硅淀积后处理 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 微粒污染的形成机理和判定方法 | 第38-45页 |
| ·小型微粒的形成机制与来源 | 第38-39页 |
| ·剥落微粒的形成机制与来源 | 第39-43页 |
| ·本章小节 | 第43-45页 |
| 第五章 LPCVD 主要的微粒改善方法 | 第45-57页 |
| ·改善石英管的清洗方式 | 第45-48页 |
| ·晶舟上升与下降的优化 | 第48-50页 |
| ·运用低温 N2 purge 来清洁工艺腔 | 第50-52页 |
| ·异常中断时微粒污染控制 | 第52-55页 |
| ·改善成果 | 第55-57页 |
| 第六章 结束语 | 第57-58页 |
| ·主要工作与创新点 | 第57页 |
| ·后续研究工作 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第61页 |
