| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| ·SiC 的结构与其性质 | 第13-17页 |
| ·SiC 的结构 | 第13页 |
| ·SiC 的物理性质 | 第13-14页 |
| ·SiC 的化学性质 | 第14-15页 |
| ·SiC 的电学性质 | 第15-16页 |
| ·SiC 的光学性质 | 第16-17页 |
| ·SiC 薄膜的发展历史及其应用前景 | 第17-18页 |
| ·本论文研究背景和研究对象 | 第18页 |
| ·论文的主要工作 | 第18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 SiC 薄膜的制备方法及其生长机理 | 第19-29页 |
| ·SiC 薄膜的制备方法 | 第19-25页 |
| ·物理气相沉积(PVD) | 第19-24页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第24-25页 |
| ·薄膜的生长机理 | 第25-28页 |
| ·形核与生长 | 第25-26页 |
| ·连续薄膜的形成 | 第26-27页 |
| ·薄膜的生长 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 SiC 薄膜的电子束物理气相沉积 | 第29-40页 |
| ·电子束发射原理及特点 | 第29-31页 |
| ·蒸发源特性和基板配置 | 第31-35页 |
| ·点蒸发源 | 第31-32页 |
| ·小平面蒸发源 | 第32-33页 |
| ·基板配置 | 第33-35页 |
| ·电子束物理气相沉积工艺参数 | 第35-37页 |
| ·蒸发温度 | 第35-36页 |
| ·气体压强 | 第36页 |
| ·蒸发和凝聚速率 | 第36-37页 |
| ·基板加热温度 | 第37页 |
| ·电子束物理气相沉积的特点 | 第37页 |
| ·电子束物理气相沉积的优点 | 第37页 |
| ·电子束物理气相沉积的缺点 | 第37页 |
| ·电子束物理气相沉积设备简介 | 第37-38页 |
| ·实验中所使用仪器 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 SiC 靶材与薄膜制备 | 第40-47页 |
| ·SiC 靶材的制备 | 第40-43页 |
| ·配料 | 第40页 |
| ·混料 | 第40-41页 |
| ·装料 | 第41页 |
| ·成型 | 第41-43页 |
| ·烧结 | 第43页 |
| ·SiC 薄膜的制备 | 第43-46页 |
| ·基片的选择与清洗 | 第43-44页 |
| ·实验设备清洁 | 第44页 |
| ·镀膜主要操作步骤 | 第44-45页 |
| ·样品取出 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 电子束物理气相沉积制备 SiC 薄膜的物性分析 | 第47-59页 |
| ·薄膜表征方法 | 第47-49页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第47页 |
| ·薄膜的微观形貌表征方法 | 第47-48页 |
| ·薄膜材料的结构表征方法 | 第48-49页 |
| ·电流-电压(Current-Voltage; I-V)测试技术分析 | 第49页 |
| ·电子束物理气相沉积制备 SiC 薄膜的物性分析 | 第49-57页 |
| ·薄膜厚度测量 | 第49-51页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第51-53页 |
| ·薄膜晶体结构分析 | 第53-56页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 总结与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第63-64页 |