智能功率集成电路中部分模块的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 缩略词表 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-45页 |
| ·电力电子技术 | 第14-22页 |
| ·电力电子技术的构成 | 第14-15页 |
| ·电力电子技术的发展 | 第15-18页 |
| ·电力电子技术的应用 | 第18-22页 |
| ·电力电子变换技术 | 第22-26页 |
| ·电力电子基本变换形式 | 第22-24页 |
| ·电力电子控制方式 | 第24-26页 |
| ·电力半导体器件 | 第26-33页 |
| ·晶闸管 | 第27-29页 |
| ·门极可关断晶闸管 | 第29-30页 |
| ·功率场效应晶体管 | 第30-32页 |
| ·绝缘栅型双极型晶体管 | 第32-33页 |
| ·智能功率模块 | 第33页 |
| ·功率集成电路 | 第33-40页 |
| ·功率集成电路简介 | 第33-36页 |
| ·功率集成电路隔离方法 | 第36-38页 |
| ·功率集成电路工艺技术 | 第38-40页 |
| ·优化横向变掺杂技术 | 第40-43页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第43-45页 |
| 第二章 智能功率集成电路 CXB1101 | 第45-53页 |
| ·CXB1101 简介 | 第45-46页 |
| ·CXB1101 工作原理 | 第46-51页 |
| ·宽 VDD 电压范围 | 第47页 |
| ·FB 管脚的工作原理 | 第47-48页 |
| ·启动电路 | 第48-50页 |
| ·过电压保护 | 第50页 |
| ·过温保护 | 第50-51页 |
| ·CXB1101 应用举例 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第三章 CXB1101 所采用的工艺平台 | 第53-79页 |
| ·C1 工艺简述 | 第53-54页 |
| ·C1 工艺流程 | 第54-63页 |
| ·C1 工艺平台可实现的元器件 | 第63-70页 |
| ·多次扩散后杂质分布的简单表达式 | 第70-77页 |
| ·扩散中的杂质分布 | 第70-71页 |
| ·理论分析 | 第71-75页 |
| ·结果和讨论 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第四章 高压启动电流源 | 第79-93页 |
| ·高压启动电流源简介 | 第79-81页 |
| ·适用于输出电压低的高压启动电流源 1 | 第81-86页 |
| ·高压启动电流源 1 的结构 | 第81-83页 |
| ·仿真结果和讨论 | 第83-85页 |
| ·实验结果 | 第85-86页 |
| ·适用于输出电压高的高压启动电流源 2 | 第86-91页 |
| ·高压启动电流源 2 的结构 | 第86-89页 |
| ·仿真结果和讨论 | 第89-90页 |
| ·实验结果 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 控制电路中部分模块的设计 | 第93-111页 |
| ·稳压器模块 | 第93-98页 |
| ·基准源模块 | 第98-103页 |
| ·振荡器模块 | 第103-107页 |
| ·逻辑模块 | 第107-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 第六章 整体电路仿真与测试 | 第111-119页 |
| ·整体电路的仿真 | 第111-113页 |
| ·整体电路的测试 | 第113-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 第七章 一种快速关断的 LIGBT | 第119-132页 |
| ·横向绝缘栅双极晶体管（LIGBT）简介 | 第119-126页 |
| ·采用浮空 P 岛驱动的 LIGBT | 第126-131页 |
| ·LIGBT 的结构和工作原理 | 第127-128页 |
| ·仿真结果和讨论 | 第128-131页 |
| ·本章小结 | 第131-132页 |
| 第八章 总结和展望 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 参考文献 | 第135-142页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第142-143页 |
