| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·Bi_2O_3的基本性质与应用 | 第12-14页 |
| ·Bi_2O_3的性质与结构 | 第12页 |
| ·Bi_2O_3的主要应用 | 第12-14页 |
| ·Bi_2O_3薄膜的制备工艺 | 第14-16页 |
| ·真空蒸发法 | 第14-15页 |
| ·化学气相沉积法 | 第15页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第15页 |
| ·喷雾热解法 | 第15-16页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第16页 |
| ·磁控溅射法 | 第16页 |
| ·新型非挥发性存储器简介 | 第16-23页 |
| ·磁阻式随机存取存储器（MRAM） | 第17-19页 |
| ·铁电随机存取存储器（FeRAM） | 第19-20页 |
| ·相变随机存取存储器（PCRAM） | 第20-22页 |
| ·电阻式随机存取存储器（ReRAM） | 第22-23页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 电阻式随机存取存储器的概述 | 第25-37页 |
| ·ReRAM 的材料体系 | 第25-26页 |
| ·有机材料 | 第25页 |
| ·固态电解质材料 | 第25页 |
| ·多元金属氧化物 | 第25-26页 |
| ·二元金属氧化物 | 第26页 |
| ·ReRAM 的阻变机制 | 第26-32页 |
| ·体效应 | 第26-31页 |
| ·界面效应 | 第31-32页 |
| ·电流传导机制 | 第32-35页 |
| ·欧姆传导 | 第33页 |
| ·肖特基发射 | 第33页 |
| ·普尔-法兰克发射 | 第33页 |
| ·空间电荷限制电流 | 第33-35页 |
| ·ReRAM 的集成结构 | 第35-36页 |
| ·1R 单元结构 | 第35-36页 |
| ·1T1R 单元结构 | 第36页 |
| ·1D1R 单元结构 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 薄膜的制备及其表征技术 | 第37-43页 |
| ·薄膜的制备 | 第37-40页 |
| ·射频磁控溅射的原理 | 第37页 |
| ·射频磁控溅射设备 | 第37-39页 |
| ·真空蒸发 | 第39-40页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第40-42页 |
| ·X 射线衍射（XRD）测试 | 第40-41页 |
| ·薄膜光学性能的测试 | 第41页 |
| ·I-V 特性曲线测试 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 基于 Bi_2O_3薄膜的 ReRAM 器件的制备 | 第43-48页 |
| ·薄膜制备准备工作 | 第43-44页 |
| ·Bi_2O_3薄膜的沉积 | 第44-45页 |
| ·Bi_2O_3薄膜沉积速率的计算 | 第45-47页 |
| ·Bi_2O_3薄膜厚度的计算 | 第45-46页 |
| ·Bi_2O_3薄膜的沉积速率 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 硅衬底上 Bi_2O_3薄膜的电阻开关特性的研究 | 第48-70页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·电阻开关现象初探 | 第48-51页 |
| ·沉积温度对 Bi_2O_3薄膜性能的影响 | 第51-56页 |
| ·沉积温度对 Bi_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第51-53页 |
| ·沉积温度对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性的影响 | 第53-56页 |
| ·沉积时间对 Bi_2O_3薄膜性能的影响 | 第56-60页 |
| ·不同沉积时间对 Bi_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第57-58页 |
| ·不同沉积时间对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性的影响 | 第58-60页 |
| ·氧氩比对 Bi_2O_3薄膜性能的影响 | 第60-64页 |
| ·不同氧氩比对 Bi_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第61-62页 |
| ·不同氧氩比对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性的影响 | 第62-64页 |
| ·退火温度对 Bi_2O_3薄膜性能的影响 | 第64-69页 |
| ·退火温度对 Bi_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第65-66页 |
| ·退火温度对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性的影响 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第6章 结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 附录 | 第78-79页 |
| 详细摘要 | 第79-85页 |
