| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| ·课题背景 | 第9页 |
| ·基准电压源的发展及研究现状 | 第9-10页 |
| ·基准电压源的性能参数 | 第10-12页 |
| ·选题意义 | 第12页 |
| ·本文的主要工作及内容 | 第12-13页 |
| 第2章 亚阈值MOS晶体管模型及其温度特性 | 第13-19页 |
| ·MOS晶体管的基本结构 | 第13-14页 |
| ·亚阈值MOS晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第14-15页 |
| ·MOS晶体管的阈值电压 | 第15-16页 |
| ·MOS晶体管阈值电压的温度特性及影响温度特性的参数 | 第16-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第3章 全CMOS基准电压源原理与电路 | 第19-27页 |
| ·系统构架 | 第19-20页 |
| ·与绝对温度成正比(PTAT)电路模块 | 第20-22页 |
| ·与绝对温度成反比(CTAT)电路模块 | 第22-25页 |
| ·CTAT电压产生电路 | 第22-24页 |
| ·CTAT电流产生电路 | 第24-25页 |
| ·启动电路 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第4章 全MOS基准电压源设计 | 第27-51页 |
| ·低压低功耗CMOS基准电压源 | 第27-36页 |
| ·直流(DC)特性仿真分析 | 第29-34页 |
| ·交流(AC)特性仿真分析 | 第34-35页 |
| ·瞬态(TRAN)特性仿真分析 | 第35-36页 |
| ·宽温度范围CMOS基准电压源 | 第36-41页 |
| ·直流(DC)特性仿真分析 | 第37-39页 |
| ·交流(AC)特性仿真分析 | 第39-40页 |
| ·电路性能参数比较 | 第40-41页 |
| ·低温度系数CMOS基准电压源 | 第41-45页 |
| ·直流(DC)特性仿真分析 | 第42-43页 |
| ·交流(AC)特性仿真分析 | 第43-44页 |
| ·电路性能参数比较 | 第44-45页 |
| ·多基准电压输出CMOS基准电压源 | 第45-49页 |
| ·直流(DC)特性仿真分析 | 第46-48页 |
| ·交流(AC)特性仿真分析 | 第48页 |
| ·电路性能参数比较 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第5章 结论与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 硕士研究生在读期间发表论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |