| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| ·半导体照明的产业背景 | 第10-12页 |
| ·LED的发展史 | 第12-13页 |
| ·白光LED的实现方法 | 第13页 |
| ·本文的研究目的、内容和创新点 | 第13-15页 |
| ·研究目的 | 第13页 |
| ·研究内容 | 第13-14页 |
| ·创新点 | 第14-15页 |
| 第2章 荧光粉的发光原理和制备方法 | 第15-23页 |
| ·荧光粉的发光原理 | 第15-19页 |
| ·光致发光 | 第15页 |
| ·发光中心 | 第15页 |
| ·稀土元素的发光 | 第15-16页 |
| ·稀土元素的光谱项 | 第16-18页 |
| ·洪特规则和电子跃迁选律 | 第18页 |
| ·发射光谱和激发光谱 | 第18-19页 |
| ·荧光粉的制备方法 | 第19-23页 |
| ·高温固相法 | 第19-20页 |
| ·燃烧法 | 第20-23页 |
| 第3章 Sr_2SiO_4:Sm~(3+)荧光粉的制备与性能研究 | 第23-27页 |
| ·实验方法 | 第23页 |
| ·样品的制备 | 第23页 |
| ·样品的测定 | 第23页 |
| ·晶体结构 | 第23-24页 |
| ·样品的发光特性 | 第24-26页 |
| ·样品的发射光谱 | 第24页 |
| ·样品的激发光谱 | 第24-25页 |
| ·Sm~(3+)浓度的变化对样品发光强度的影响 | 第25页 |
| ·电荷补偿剂对样品发光强度的影响 | 第25-26页 |
| ·结论 | 第26-27页 |
| 第4章 SrIn_2O_4:Eu~(3+)荧光粉的制备与性能研究 | 第27-31页 |
| ·实验方法 | 第27页 |
| ·样品的制备 | 第27页 |
| ·样品的测定 | 第27页 |
| ·晶体结构 | 第27-28页 |
| ·样品的XRD图像 | 第27-28页 |
| ·样品的SEM图像 | 第28页 |
| ·样品的发光特性 | 第28-30页 |
| ·样品的激发光谱 | 第28-29页 |
| ·样品的发射光谱 | 第29-30页 |
| ·Eu~(3+)浓度的变化对样品发光强度的影响 | 第30页 |
| ·结论 | 第30-31页 |
| 第5章 Ca_2SiO_4:Eu~(2+)荧光粉的制备与性能研究 | 第31-36页 |
| ·实验方法 | 第31页 |
| ·样品的制备 | 第31页 |
| ·样品的测定 | 第31页 |
| ·材料的合成机制 | 第31-32页 |
| ·晶体结构 | 第32-33页 |
| ·材料的XRD图像 | 第32页 |
| ·材料的SEM图像 | 第32-33页 |
| ·样品的发光特性 | 第33-34页 |
| ·Eu~(2+)浓度变化对样品发光强度的影响 | 第34页 |
| ·结论 | 第34-36页 |
| 第6章 Sr_2SiO_4Cl_6:Eu~(2+)荧光粉的制备与性能研究 | 第36-40页 |
| ·实验方法 | 第36页 |
| ·样品的制备 | 第36页 |
| ·样品的测定 | 第36页 |
| ·晶体结构 | 第36-37页 |
| ·样品的激发与发射光谱 | 第37页 |
| ·温度对样品发光强度的影响 | 第37-38页 |
| ·Eu~(2+)浓度变化对样品发光强度的影响 | 第38页 |
| ·Eu~(2+)所处晶体学格位的研究 | 第38-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 第7章 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-45页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |
