电源芯片中CMOS带隙基准源与微调的设计与实现
| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| ·国内外发展现状与趋势 | 第9-10页 |
| ·研究目的意义与内容 | 第10-11页 |
| ·本文的主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 电压基准源的分类及原理 | 第12-23页 |
| ·基准源的指标 | 第12-13页 |
| ·电压基准源的分类与性能比较 | 第13-16页 |
| ·温度补偿方法 | 第16-19页 |
| ·带隙基准原理 | 第16-18页 |
| ·曲线补偿 | 第18-19页 |
| ·电阻微调方法 | 第19-23页 |
| ·激光微调 | 第20页 |
| ·熔丝微调 | 第20-21页 |
| ·齐纳二极管微调和电可编程模拟器件微调 | 第21-22页 |
| ·电阻微调方法比较与选择 | 第22-23页 |
| 第三章 设计方法 | 第23-28页 |
| ·设计指标 | 第23页 |
| ·制造工艺 | 第23-24页 |
| ·电路结构选择 | 第24-27页 |
| ·设计工具 | 第27-28页 |
| 第四章 电路设计 | 第28-48页 |
| ·电阻的选择与设计 | 第28-30页 |
| ·偏置电路 | 第30-32页 |
| ·运放设计 | 第32-40页 |
| ·运放输入失调电压 | 第32-34页 |
| ·运放失调对基准电压的影响 | 第34-35页 |
| ·运放参数设计 | 第35-38页 |
| ·运放仿真与测量 | 第38-40页 |
| ·启动电路 | 第40-41页 |
| ·温度微调范围设计 | 第41-43页 |
| ·电源电压抑制比 | 第43-46页 |
| ·基准相位裕度 | 第46-47页 |
| ·基准源温度仿真结果 | 第47-48页 |
| 第五章 版图设计 | 第48-52页 |
| ·CMOS 工艺中的PNP 管 | 第48-49页 |
| ·运放的版图 | 第49-50页 |
| ·温度微调的版图设计 | 第50-51页 |
| ·带隙基准的总体版图 | 第51-52页 |
| 第六章 电源芯片中的基准测试 | 第52-56页 |
| ·温度系数微调电阻R0 的确定 | 第52-54页 |
| ·电源抑制比测试 | 第54页 |
| ·输出电压误差测试 | 第54页 |
| ·温度系数测试 | 第54-56页 |
| 第七章 电源芯片中的微调 | 第56-67页 |
| ·微调原理 | 第56-64页 |
| ·微调数学模型及求解 | 第57-60页 |
| ·微调电路的实现 | 第60-61页 |
| ·芯片制造中的片上微调方法 | 第61-63页 |
| ·误差分析 | 第63-64页 |
| ·扩展输出电压范围的微调方法 | 第64-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人简历 | 第71页 |
