| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 缩略词表 | 第10-11页 |
| 目录 | 第11-12页 |
| 1 绪论 | 第12-34页 |
| ·课题背景及意义 | 第12-26页 |
| ·国内外研究现状 | 第26-31页 |
| ·本论文的主要工作和安排 | 第31-34页 |
| 2 纳米先进制程下ESD防护的研究 | 第34-86页 |
| ·ESD情况下薄氧化层的失效研究 | 第34-41页 |
| ·低压环境下ESD防护器件概述 | 第41-49页 |
| ·纳米先进制程下的MOS管结构的研究 | 第49-55页 |
| ·纳米先进制程下的MODIFIED SCR结构 | 第55-59页 |
| ·MOS管辅助触发的SCR结构 | 第59-63页 |
| ·低触发电压SCR结构(LVTSCR) | 第63-76页 |
| ·低压ESD防护中的二极管串结构 | 第76-79页 |
| ·低压ESD防护中的DTSCR结构 | 第79-86页 |
| 3 高压电路ESD的研究与设计 | 第86-102页 |
| ·高压ESD防护简介 | 第86-90页 |
| ·高压ESD器件回滞特性的退化现象 | 第90-98页 |
| ·利用浮空N阱技术来有效提高高压ESD器件的维持电压 | 第98-102页 |
| 4 总结及展望 | 第102-105页 |
| 参考文献 | 第105-113页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第113-114页 |