| 致谢 | 第1-4页 |
| <中文摘要> | 第4-5页 |
| <英文摘要> | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-28页 |
| ·半导体激光器的发展 | 第10-16页 |
| ·MBE材料生长技术 | 第16-20页 |
| ·GaInAsSb/AlGaAsSb 激光器发展概况 | 第20-25页 |
| ·小结 | 第25-28页 |
| 第三章 半导体激光器性能测试表征系统 | 第28-41页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·脉冲测试系统的设计和组建 | 第29-38页 |
| ·傅立叶变换红外光谱仪及激射光谱测量 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第四章 用于GaSb/AlGaAsSb器件制备的新型化学腐蚀液研究 | 第41-50页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·实验方法 | 第42-43页 |
| ·实验结果及讨论 | 第43-49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| 第五章 InGaAsSb/AlGaAsSb 多量子阱激光器 | 第50-72页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·InGaAsSb/AlGaAsSb 激光器的材料的选择 | 第50-57页 |
| ·器件的流片 | 第57-61页 |
| ·器件性能测试 | 第61-71页 |
| ·小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| <参考文献> | 第74-78页 |
| 附录一 发表的论文 | 第78页 |
| 附录二 个人简历 | 第78页 |