| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 引言 | 第12-13页 |
| 第一章 文献综述 | 第13-46页 |
| ·离子注入的描述 | 第13-23页 |
| ·离子注入简介 | 第13-16页 |
| ·离子注入的基本原理 | 第16-19页 |
| ·注入离子的射程分布 | 第19-21页 |
| ·晶格畸变和注入原子定位 | 第21-23页 |
| ·杂质工程和能带工程 | 第23-31页 |
| ·离子注入硅的退火 | 第31-43页 |
| ·退火特性的温度区间 | 第31-33页 |
| ·退火模式和机理 | 第33-37页 |
| ·射束退火 | 第37-39页 |
| ·快速热退火 | 第39-42页 |
| ·离子注入硅退火方式小结 | 第42-43页 |
| ·国内研究情况介绍 | 第43-46页 |
| 第二章 离子注入硅退火的理论问题研究及本研究工作的思路 | 第46-50页 |
| ·离子注入硅退火研究理论问题概述 | 第46-47页 |
| ·离子注入硅退火理论研究的发展和现状 | 第47-49页 |
| ·本研究工作的思路 | 第49-50页 |
| ·本研究工作的目的 | 第49页 |
| ·本研究工作的内容 | 第49-50页 |
| 第三章 离子注入硅退火温度计算 | 第50-68页 |
| ·绝热模式 | 第51-54页 |
| ·无相变温度计算 | 第51-52页 |
| ·固液相变功率密度计算 | 第52页 |
| ·液-固界面速度 | 第52-54页 |
| ·热流模式 | 第54-61页 |
| ·半无限厚样品温度计算 | 第54-57页 |
| ·有限厚度样品温度计算 | 第57-61页 |
| ·等温模式 | 第61-68页 |
| ·碘钨灯快速热退火温度计算 | 第61-65页 |
| ·碘钨灯快速热退火的其它实验和计算结果 | 第65-68页 |
| 第四章 离子注入硅退火结晶问题研究 | 第68-89页 |
| ·液相再结晶 | 第68-77页 |
| ·均匀形核及形核率 | 第68-72页 |
| ·平面形核及形核率 | 第72-77页 |
| ·固相外延再结晶 | 第77-89页 |
| ·固相均匀形核 | 第78-80页 |
| ·固相平面形核 | 第80-84页 |
| ·弹性能对形核的影响 | 第84-89页 |
| 第五章 硅中锗离子注入研究 | 第89-99页 |
| ·实验及实验结果 | 第89-92页 |
| ·注入Ge~+浓度计算 | 第92-94页 |
| ·共格因子的计算 | 第94-97页 |
| ·计算结果分析及结论 | 第97-99页 |
| ·结果分析 | 第97-98页 |
| ·结论 | 第98-99页 |
| 第六章 本研究工作总结及创新点介绍 | 第99-101页 |
| ·本研究工作总结 | 第99页 |
| ·本研究工作创新点 | 第99-101页 |
| 第七章 本研究工作的不足及对未来工作的建议 | 第101-103页 |
| ·本研究工作的不足 | 第101页 |
| ·未来工作的建议 | 第101-103页 |
| 附录: 方程(3-19)式的级数解 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第117页 |