| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 集成电路制造技术的发展现状 | 第8-9页 |
| 1.2 化学机械平坦化技术 | 第9-10页 |
| 1.3 Co基阻挡层的主要性能 | 第10-12页 |
| 1.4 Co基阻挡层CMP研究现状及发展趋势 | 第12页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第12-15页 |
| 第二章 CoCMP实验及理论方法 | 第15-25页 |
| 2.1 Co抛光液组分与特性分析 | 第15-18页 |
| 2.1.1 pH | 第15-16页 |
| 2.1.2 双氧水 | 第16页 |
| 2.1.3 FA/O螯合剂 | 第16-17页 |
| 2.1.4 活性剂 | 第17-18页 |
| 2.1.5 磨料 | 第18页 |
| 2.2 实验所用主要设备 | 第18-22页 |
| 2.2.1 化学机械平坦化系统 | 第18页 |
| 2.2.2 电化学工作站 | 第18-20页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第20页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第20页 |
| 2.2.5 厚度测试仪 | 第20-21页 |
| 2.2.6 其他实验仪器 | 第21-22页 |
| 2.3 实验理论方法 | 第22-25页 |
| 2.3.1 螯合理论 | 第22页 |
| 2.3.2 优先吸附理论 | 第22-23页 |
| 2.3.3 电化学分析 | 第23-25页 |
| 第三章 抛光液pH和组分对Co/Cu电偶腐蚀的影响 | 第25-38页 |
| 3.1 pH对Co/Cu电偶腐蚀的影响 | 第26-29页 |
| 3.2 H_2O_2对Co/Cu电偶腐蚀的影响 | 第29-31页 |
| 3.3 FA/O螯合剂对Co/Cu电偶腐蚀的影响 | 第31-34页 |
| 3.4 非离子活性剂对Co/Cu电偶腐蚀的影响 | 第34-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 抛光液pH和组分对Co/CuCMP的影响 | 第38-48页 |
| 4.1 pH对Co/CuCMP的影响 | 第39-40页 |
| 4.2 H_2O_2对Co/CuCMP的影响 | 第40-42页 |
| 4.3 FA/O螯合剂对Co/CuCMP的影响 | 第42-43页 |
| 4.4 非离子活性剂对Co/CuCMP的影响 | 第43-45页 |
| 4.5 磨料对Co/CuCMP的影响 | 第45-46页 |
| 4.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 读学位期间所取得的相关科研成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |