| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 二维窄带隙材料的发展 | 第12-20页 |
| 1.1.1 拓扑绝缘体(TI)材料和TI-石墨烯异质结材料的发展 | 第12-16页 |
| 1.1.2 黑磷材料的发展 | 第16-18页 |
| 1.1.3 过渡金属硫族化合物及其异质结材料发展 | 第18-20页 |
| 1.2 相关理论和实验技术 | 第20-29页 |
| 1.2.1 表面等离子激元 | 第20-21页 |
| 1.2.2 Z-scan测量技术 | 第21-24页 |
| 1.2.3 二维材料光电探测器光电流产生机理 | 第24-29页 |
| 1.3 本论文选题依据和主要研究内容 | 第29-32页 |
| 第二章 碲化铋和石墨烯-碲化铋的制备以及光电学特性的研究 | 第32-78页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 碲化铋和石墨烯-碲化铋的制备和表征 | 第32-40页 |
| 2.2.1 溶液法制备碲化铋和石墨烯-碲化铋 | 第32-33页 |
| 2.2.2 化学气相沉积法制备碲化铋晶体和石墨烯-碲化铋 | 第33-35页 |
| 2.2.3 碲化铋和石墨烯-碲化铋的表征 | 第35-40页 |
| 2.3 碲化铋表面近场光学特性的研究 | 第40-53页 |
| 2.4 石墨烯-碲化铋的局域等离子激发的光学特性研究 | 第53-58页 |
| 2.5 碲化铋和石墨烯-碲化铋的非线性光学特性研究 | 第58-65页 |
| 2.5.1 碲化铋非线性光学特性的研究 | 第59-62页 |
| 2.5.2 石墨烯-碲化铋的非线性光学特性的研究 | 第62-65页 |
| 2.6 石墨烯-碲化铋光电探测器的制备和表征 | 第65-72页 |
| 2.7 石墨烯-碲化铋的光纤布拉格光栅光探测器 | 第72-77页 |
| 2.8 本章小结 | 第77-78页 |
| 第三章 黑磷材料的制备、表征及其电学性质的研究 | 第78-100页 |
| 3.1 引言 | 第78-79页 |
| 3.2 黑磷制备 | 第79-80页 |
| 3.3 黑磷的材料性质表征 | 第80-84页 |
| 3.4 黑磷电学性能的测试和分析 | 第84-92页 |
| 3.5 Si_xN_y电介质层对多层黑磷n型掺杂的研究 | 第92-98页 |
| 3.6 本章小结 | 第98-100页 |
| 第四章 贵金属硫族化合物的制备及光电学性质研究 | 第100-130页 |
| 4.1 引言 | 第100-101页 |
| 4.2 PtS_2、PtSe_2材料的制备和表征 | 第101-107页 |
| 4.3 PtS_2和PtSe_2光电器件的制备和测试分析 | 第107-112页 |
| 4.4 PtS_2-PtS_2、PtSe_2-PtSe_2和PtS_2-PtSe_2光电器件的制备和测试分析 | 第112-121页 |
| 4.5 PtSe_2薄膜的饱和吸收特性的研究 | 第121-129页 |
| 4.6 本章小结 | 第129-130页 |
| 第五章 总结和展望 | 第130-133页 |
| 5.1 本论文内容 | 第130-131页 |
| 5.2 存在的问题与展望 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-148页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论文和专利 | 第148-150页 |
| 致谢 | 第150-151页 |
