| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-34页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第14-16页 |
| 1.2 CMOS存储单元电路抗单粒子翻转加固现状 | 第16-31页 |
| 1.2.1 SRAM存储单元加固现状 | 第16-24页 |
| 1.2.2 锁存器加固现状 | 第24-29页 |
| 1.2.3 触发器加固现状 | 第29-31页 |
| 1.3 相关工作存在的不足 | 第31-32页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第32-34页 |
| 第2章 SRAM存储单元抗多节点翻转加固设计研究 | 第34-61页 |
| 2.1 引言 | 第34页 |
| 2.2 SRAM存储单元设计原理与SNM测量方法 | 第34-39页 |
| 2.2.1 SRAM的读操作 | 第35-36页 |
| 2.2.2 SRAM的写操作 | 第36-37页 |
| 2.2.3 SRAM的噪声容限测量方法 | 第37-39页 |
| 2.3 RHD12T存储单元加固设计 | 第39-45页 |
| 2.3.1 RHD12T存储单元电路级加固与工作机理分析 | 第40-42页 |
| 2.3.2 RHD12T存储单元版图级加固 | 第42-45页 |
| 2.4 RHD12T存储单元功能验证 | 第45-54页 |
| 2.4.1 RHD12T存储单元读写功能验证 | 第46页 |
| 2.4.2 RHD12T存储单元抗单粒子翻转功能验证 | 第46-54页 |
| 2.5 SRAM存储单元性能比较与分析 | 第54-60页 |
| 2.5.1 SRAM存储单元基本性能指标比较与分析 | 第54-58页 |
| 2.5.2 SRAM存储单元噪声容限比较与分析 | 第58-60页 |
| 2.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第3章 锁存器抗单粒子翻转加固设计研究 | 第61-80页 |
| 3.1 引言 | 第61页 |
| 3.2 LCRH锁存器加固设计 | 第61-65页 |
| 3.2.1 LCRH锁存器的结构设计 | 第61-63页 |
| 3.2.2 LCRH锁存器工作机理分析 | 第63-65页 |
| 3.3 LCRH锁存器功能验证 | 第65-69页 |
| 3.3.1 LCRH锁存器传输和保持数据功能验证 | 第65-66页 |
| 3.3.2 LCRH锁存器滤除输入SET功能验证 | 第66页 |
| 3.3.3 LCRH锁存器抗单粒子翻转功能验证 | 第66-69页 |
| 3.4 锁存器间性能比较与分析 | 第69-79页 |
| 3.4.1 锁存器基本性能比较与分析 | 第69-74页 |
| 3.4.2 锁存器的PVT波动性能比较与分析 | 第74-79页 |
| 3.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 第4章 应用于流水线中的D触发器加固设计研究 | 第80-97页 |
| 4.1 引言 | 第80页 |
| 4.2 应用于流水线中的D触发器加固设计 | 第80-86页 |
| 4.2.1 流水线中D触发器采用的加固方法及典型结构讨论 | 第80-82页 |
| 4.2.2 沿检测电路设计 | 第82-83页 |
| 4.2.3 流水线中D触发器的构建及工作机理分析 | 第83-86页 |
| 4.3 所构建D触发器的功能验证 | 第86-88页 |
| 4.3.1 D触发器数据传输和保持功能验证 | 第86页 |
| 4.3.2 D触发器容错能力验证 | 第86-88页 |
| 4.4 流水线重写概率分析 | 第88-93页 |
| 4.4.1 脉冲毛刺宽度的测量方法 | 第89-90页 |
| 4.4.2 流水线重写概率评估模型的建立 | 第90-91页 |
| 4.4.3 应用不同D触发器对流水线重写概率影响 | 第91-93页 |
| 4.5 触发器间性能比较 | 第93-96页 |
| 4.5.1 典型触发器间的性能比较 | 第93-95页 |
| 4.5.2 触发器容错能力比较 | 第95-96页 |
| 4.6 本章小结 | 第96-97页 |
| 第5章 近阈值SRAM存储单元抗多节点翻转加固设计研究 | 第97-110页 |
| 5.1 引言 | 第97页 |
| 5.2 近阈值电压技术简介 | 第97-98页 |
| 5.3 近阈值SRAM存储单元加固设计 | 第98-104页 |
| 5.3.1 RHDNT存储单元结构设计 | 第99-100页 |
| 5.3.2 RHDNT存储单元工作机理分析 | 第100-102页 |
| 5.3.3 RHDNT存储单元版图加固设计 | 第102-104页 |
| 5.4 RHDNT存储单元功能及稳定性验证 | 第104-105页 |
| 5.4.1 RHDNT存储单元读写功能及稳定性的验证 | 第104-105页 |
| 5.4.2 RHDNT存储单元抗单粒子翻转能力验证 | 第105页 |
| 5.5 近阈值SRAM存储单元性能比较与分析 | 第105-109页 |
| 5.5.1 近阈值SRAM存储单元功耗及延迟的比较与分析 | 第107-108页 |
| 5.5.2 近阈值SRAM存储单元噪声容限的比较与分析 | 第108-109页 |
| 5.6 本章小结 | 第109-110页 |
| 结论 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-122页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其他成果 | 第122-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 个人简历 | 第126-127页 |
| 附录 ：缩略语表 | 第127页 |
