| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 选题背景与研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.1 自旋转矩器件的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 自旋转矩器件电路模型的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第13页 |
| 1.4 论文结构 | 第13-15页 |
| 第二章 自旋转移效应及磁隧道结的基础理论 | 第15-29页 |
| 2.1 自旋转移效应 | 第15-21页 |
| 2.1.1 自旋转移效应的提出 | 第15-19页 |
| 2.1.2 自旋转移效应导致的磁化转动和磁化反转 | 第19-21页 |
| 2.1.2.1 电流诱导磁化反转和不可逆转动 | 第19-20页 |
| 2.1.2.2 不可逆磁化反转的临界电流 | 第20-21页 |
| 2.1.2.3 电流诱导的可逆转动反磁化 | 第21页 |
| 2.2 磁隧道结的基础理论 | 第21-25页 |
| 2.2.1 磁隧道结的结构 | 第21-23页 |
| 2.2.2 磁电阻效应 | 第23-25页 |
| 2.2.2.1 各向异性磁电阻 | 第23-24页 |
| 2.2.2.2 正常磁电阻 | 第24页 |
| 2.2.2.3 巨磁电阻 | 第24-25页 |
| 2.2.2.4 隧道结磁电阻 | 第25页 |
| 2.3 磁隧道结中的自旋转移效应 | 第25-27页 |
| 2.4 磁隧道结在计算机读磁头方面的应用 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 基于自旋转移效应的磁隧道结的电路模型建立与仿真 | 第29-41页 |
| 3.1 基于自旋转移效应的磁隧道结的电阻 | 第29-30页 |
| 3.2 基于自旋转移效应的磁隧道结的临界电流 | 第30-31页 |
| 3.3 翻转时间 | 第31-33页 |
| 3.3.1 SUN模型 | 第31-32页 |
| 3.3.2 Neel-Brown模型 | 第32页 |
| 3.3.3 脉冲宽度 | 第32-33页 |
| 3.4 建模流程 | 第33-36页 |
| 3.5 模型的仿真及验证 | 第36-40页 |
| 3.5.1 平行状态的仿真 | 第37-38页 |
| 3.5.2 反平行状态的仿真 | 第38-39页 |
| 3.5.3 电流电阻曲线仿真 | 第39-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 对磁隧道结尺寸参数的仿真 | 第41-49页 |
| 4.1 RA乘积与氧化层厚度的关系 | 第41-42页 |
| 4.2 磁隧道结直径与临界电流的关系 | 第42-43页 |
| 4.3 不同直径下的磁隧道结翻转情况 | 第43-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 一种使用三模冗余结构的读电路设计 | 第49-59页 |
| 5.1 STT-MRAM读写错误产生的原因 | 第49-50页 |
| 5.2 STT-MRAM读取电路的研究 | 第50-55页 |
| 5.2.1 读电流大小 | 第51-53页 |
| 5.2.2 读电流方向 | 第53-55页 |
| 5.3 灵敏放大器 | 第55-57页 |
| 5.4 使用三模冗余结构的读电路设计 | 第57-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66页 |