| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| 1.1 SNSPD研究背景 | 第6页 |
| 1.2 SNSPD工作原理 | 第6-10页 |
| 1.2.1 SNSPD探测单光子的过程 | 第6-9页 |
| 1.2.2 SNSPD的发展 | 第9-10页 |
| 1.3 SNSPD性能 | 第10-11页 |
| 1.3.1 探测效率 | 第10页 |
| 1.3.2 暗计数 | 第10-11页 |
| 1.3.3 恢复时间 | 第11页 |
| 1.3.4 时间抖动 | 第11页 |
| 1.4 实验中影响探测效率的因素 | 第11-12页 |
| 1.5 本文框架 | 第12-14页 |
| 第二章 SNSPD器件中高斯光束的研究 | 第14-37页 |
| 2.1 高斯光束原理 | 第14-15页 |
| 2.2 高斯光束的表征 | 第15-26页 |
| 2.2.1 单色光的表征 | 第16-17页 |
| 2.2.2 光束分析仪(BeamProfiler)的测量极限问题 | 第17-18页 |
| 2.2.3 多色光的高斯表征 | 第18-20页 |
| 2.2.4 反射镜法测量光源场强 | 第20-26页 |
| 2.3 高斯光束用于芯片对光研究 | 第26-31页 |
| 2.3.1 高斯光束最小光斑的介质无关性 | 第27-30页 |
| 2.3.2 不同波长的光在芯片上的耦合效率 | 第30-31页 |
| 2.4 高斯光束应用于SNSPD器件 | 第31-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 传输矩阵法计算SNSPD器件反射 | 第37-52页 |
| 3.1 传输矩阵原理 | 第37-39页 |
| 3.2 验证传输矩阵的正确性 | 第39-41页 |
| 3.3 Comsol仿真与传输矩阵联合测量SNSPD芯片的反射 | 第41-46页 |
| 3.4 SNSPD器件反射与入射波频率的关系 | 第46-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 超宽频带反射式半波片 | 第52-60页 |
| 4.1 超宽频带半波片的原理及设计 | 第52-55页 |
| 4.2 多层半波片结构的实现 | 第55-59页 |
| 4.2.1 模型转化及其原理分析 | 第55-58页 |
| 4.2.2 半波片层数与转化率的关系 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 研究生期间成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |